[发明专利]一种近红外长余辉荧光粉及其制备方法无效
申请号: | 201410013887.8 | 申请日: | 2014-01-13 |
公开(公告)号: | CN103911147A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 梁鼎贵;王银海;刘杰 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | C09K11/62 | 分类号: | C09K11/62 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 510006 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 外长 余辉 荧光粉 及其 制备 方法 | ||
1.一种近红外长余辉荧光粉,其表达式为:
ZnGa2O4:aCr3+:bNd3+,
其中a=0.01,0.01≤b≤0.05。
2.一种权利要求1所述的近红外长余辉荧光粉的制备方法:其特征在于包括以下步骤:
(1)将纯度不小于99.99%的高纯氧化物ZnO、Ga2O3 、Cr2O3、Nd2O3分别按以下摩尔比称量:
ZnO 1
Ga2O3 1
Cr2O3 0.005
Nd2O3 0.005~0.025
(2)上述材料混合后,研磨1小时以上,达到混合均匀;
(3) 研磨后的混合物放入坩埚,然后放到高温炉中,启动高温炉,让混合物进行高温固相反应,整个过程按如下进行:
设置升温时间和温度,其中时间为6小时,温度为1400°C ;
设置保温时间6小时;
设置降温时间5小时,温度从1400°C 降到800°C ;
然后800°C自然降温到室温;
(4)煅烧后取出,再次放到研钵中研磨成粉末状荧光粉,得到以ZnGa2O4为基质的近红外长余辉荧光粉。
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