[发明专利]一种有序有机半导体单晶阵列薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种有序有机半导体单晶阵列薄膜的制备方法，其特征在于，将酞菁染料或卟啉先通过温度梯度法气相沉积或气相传输沉积进行可控生长得到长度不低于50微米，且长宽比不低于50的酞菁染料或卟啉棒状单晶；将所得酞菁染料或卟啉棒状单晶超声分散在非良性溶剂中得到悬浮液，所述悬浮液缓慢倾倒到水面上，待非良性溶剂挥发后，酞菁染料或卟啉棒状单晶漂浮分散在水表面；在水表面平行设置两根塑料棒将漂浮分散于水表面的棒状单晶夹在两塑料棒之间，对两塑料棒分别施加一个大小为5～25mN/m的压力，且两压力相向，对漂浮于溶剂表面的晶体进行挤压使它们取向排列，再通过垂直或平行拉模，即得。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的对称挤压是在长方体容器中实现；将两根塑料棒平行于长方形容器的宽设置，所述塑料棒的长度与长方体容器的宽度相同，其中，两根塑料棒大小、长度相同、外表平整。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的酞菁染料为自由酞菁、酞菁铜、酞菁锌、酞菁铁、酞菁镍、酞菁铂、酞菁铬、酞菁氯铝、酞菁氧钒、酞菁氧钛、酞菁铅、全氟酞菁铜、全氟酞菁锌、全氟酞菁铁或全氟酞菁镍。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的平行拉模是将基底浸入水中，沿水表面不大于15°的夹角方向以0.2～2mm/s的速度拉膜，使取向排列的棒状单晶负载于基底上成膜。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的垂直拉模是将基底垂直浸入水中，沿水表面垂直方向以0.2～2mm/s的速度拉膜，使取向排列的棒状单晶负载于基底上成膜。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的温度梯度法气相沉积的条件控制为：蒸发源的温度为酞菁染料或卟啉的升华温度；酞菁染料或卟啉的沉积生长温度为300℃～常温，所述沉积生长温度随着离蒸发源距离的增大而逐渐降低；生长腔体内压强为10^-5～10^-3Pa。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的气相传输沉积的条件控制为：蒸发源的温度为酞菁染料或卟啉的升华温度；酞菁染料或卟啉的沉积生长温度为300℃～常温，所述沉积生长温度随着离蒸发源距离的增大而逐渐降低；升华的分子在载气的作用下运动并沉积生长，载气的流量为50～300ccm，生长腔体内压强为10^-1～10Pa。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的非良性溶剂为乙醇、异丙醇或丙酮。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述悬浮液经过1～10次离心分离除去微小晶体后再进行下一步操作。