[发明专利]半导体系统有效
申请号: | 201410014159.9 | 申请日: | 2014-01-13 |
公开(公告)号: | CN103973131B | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 陈塽清;市川裕章 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00;H02M7/48;H01L25/07;H01L25/18;H01L23/367 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 系统 | ||
1.一种半导体系统,包括:
第一半导体器件、第二半导体器件、第三半导体器件、和第四半导体器件,所述半导体器件是形成至少一个三级电力逆变器电路的至少四个器件;
多个绝缘衬底,所述第一半导体器件到所述第四半导体器件中的至少一个安装在所述多个绝缘衬底中的每一个上;以及
基板,所述多个绝缘衬底设置在所述基板的表面上,
设置了所述多个绝缘衬底的基板的所述表面建立有四个区域,所述表面按照格子方式被划分成所述四个区域;以及
所述多个绝缘衬底被设置成使得所述第一半导体器件到所述第四半导体器件中的至少一个被设置在所述四个区域中的每一个中,藉此分散所述第一到第四半导体器件中产生的热量,
所述多个绝缘衬底包括至少一个第一绝缘衬底和至少一个第二绝缘衬底,所述至少一个第一绝缘衬底安装了所述第一到第四半导体器件中的两个,所述至少一个第二绝缘衬底安装了所述第一到第四半导体器件中的其余两个,
所述至少一个第一绝缘衬底和所述至少一个第二绝缘衬底被设置成使得所述第一到第四半导体器件中的至少一个相应的半导体器件被设置在所述四个区域中的每一个中。
2.如权利要求1所述的半导体系统,其特征在于,在所述四个区域中,在彼此对角地定位的两个区域中的每一个中,设置有至少一个半导体器件,所述至少一个半导体器件与另一区域中的至少一个半导体器件同时发热。
3.如权利要求1所述的半导体系统,其特征在于,在所述四个区域中,在彼此毗邻地定位的两个区域中的每一个中,设置有至少一个半导体器件,所述至少一个半导体器件与另一区域中的至少一个半导体器件同时发热。
4.如权利要求1到3中的任一项所述的半导体系统,其特征在于,在设置在所述基板的表面上的所述多个绝缘衬底上形成的所述三级电力逆变器电路包括:
作为所述第一半导体器件的第一绝缘栅双极晶体管,其集电极连接至直流电路的正极侧电位;
作为所述第二半导体器件的第二绝缘栅双极晶体管,其发射极连接至直流电路的负极侧电位,且其集电极连接至所述第一绝缘栅双极晶体管的发射极;
双向开关器件,其一端连接至所述第一绝缘栅双极晶体管的发射极与所述第二绝缘栅双极晶体管的集电极的连接点;
第一外部连接端子,连接至所述第一绝缘栅双极晶体管的集电极以将所述集电极连接至所述直流电路的正极侧电位;
第二外部连接端子,连接至所述双向开关器件的另一端;
第三外部连接端子,连接至所述第二外部连接端子以处于与所述第二外部连接端子的电位相同的电位;
第四外部连接端子,连接至所述第二绝缘栅双极晶体管的发射极以将所述发射极连接至所述直流电路的负极侧电位;以及
第五外部连接端子,连接至所述第一绝缘栅双极晶体管的发射极与所述第二绝缘栅双极晶体管的集电极的连接点。
5.如权利要求4所述的半导体系统,其特征在于,所述双向开关器件由彼此反向并联连接的作为所述第三和第四半导体器件的两个反向阻断绝缘栅双极晶体管形成。
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