[发明专利]一种快速测量多晶硅中微量硼杂质的方法

权利要求书

1.一种快速测量多晶硅中微量硼杂质的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）称取多晶硅样品作为试样；

2）向上述试样中加入络合剂甘露醇溶液；

3）向上述已加入络合剂的试样中加入K₂CO₃溶液，形成第一溶液试样；

4）向上述第一溶液试样中加入氢氟酸，再缓慢滴入硝酸，用于溶解第一溶液试样；

5）待上述第一溶液试样溶解完后，将所得溶液移到加热板上加热；

6）待步骤5）溶液加热至白烟冒尽后，停止加热，并向试样中加入盐酸浸泡后，用少量的纯水稀释，冷却，形成第二试样溶液；

7）向上述步骤6）所得第二试样溶液中加入适量的甲醇，并摇匀，再用纯水定容，形成第三试样溶液；

8）先用氨水冲洗ICP-MS，再用纯水冲洗；

9）待ICP-MS冲洗完，将步骤7）所得的第三试样溶液采用ICP-MS检测，即得到步骤1）所述试样中硼的含量。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2）中加入的络合剂甘露醇溶液的体积与步骤1）中多晶硅样品质量的比为3:2～7:2ml/g。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3）中，加入的K₂CO₃溶液与步骤2）中加入的络合剂甘露醇溶液的体积比为3～9:3～7。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4）中，加入的氢氟酸与步骤2）中加入的络合剂甘露醇溶液的体积比为40～70:3～7；滴入的硝酸与步骤2）中加入的络合剂甘露醇溶液的体积比为10～25:3～7。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5）中，所述加热为在温度120～220℃下加热1～4小时，优选在温度130～220℃下加热1～3小时。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6）中，加入的盐酸的体积与步骤2）中加入的络合剂甘露醇溶液的体积比为5～20:3～7。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤6）中，所述浸泡的时间为3～9分钟，优选5分钟。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤7）中，加入的甲醇的浓度为99.5%。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤8）中，氨水的浓度为0.2%。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤8）中，用氨水冲洗的时间为20～35s，优选30s；用纯水冲洗的时间为0.5～2min，优选1min。