[发明专利]底部防反射层形成方法

说明书

本发明提供一种底部防反射层(BARC)形成方法，向晶圆中心滴BARC后仅旋转晶圆3～8秒，此过程时间较短BARC还未固化，随后向晶圆边缘滴洗边液，并旋转晶圆13～18秒，使BARC厚度均匀，同时由于洗边时BARC还未固化，可有效的去除晶圆边缘的BARC，以在晶圆表面形成厚度均匀的BARC。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种底部防反射层(BARC)形成方法。

背景技术

通常，在半导体器件的制造过程中，会在半导体器件的导电层或者介质层上形成一种光刻胶图案，然后利用光刻胶作为掩模，没有覆盖光刻胶图案的部分导电层或者介质层没有被保护，会在蚀刻工艺中被去处，或者在离子注入工艺中被注入等。随着半导体器件的集成度提高，半导体器件的线宽要求越来越小，关健尺寸的控制也越来越重要，当然对刻蚀工艺的要求也越来越高。为了满足光刻的要求，除了在光刻机设备方面的不断升级换代以外，还使用其它技术来提高光刻的质量和精度，比如使用防反射层(ARC)。防反射层的作用是：防止光线通过光刻胶后在晶圆界面发生反射，因为返回光刻胶的反射光线会与入射光发生干涉，导致光刻胶不能均匀曝光。ARC的发展经过了顶部防反射层(TARC)和底部防反射层(BARC)两个阶段。

目前主要使用的是有机的底部防反射层，其具有成本低、折射率重复性好、平面性好的优点，同时由于是有机物质，可以返工。有机底部防反射层的折射率要与光刻胶匹配，这样可以消除入射光在光刻胶-有机底部防反射层界面的反射；此外，有机底部防反射层还可以吸收光线，所以光线在通过有机底部防反射层时就已经被吸收了，而不会到达下一个界面发生反射。

涂覆BARC之后，通常需要利用EBR(Edge Bead Removal，去除边圈)方法去除晶圆边缘特定宽度BARC，这是因为在旋涂BARC后，BARC在离心力的作用下流到晶圆的边缘或者背面，干燥后，这些BARC容易剥落并产生颗粒，从而在后续的工艺过程中成为缺陷或故障的来源，EBR方法是在光刻胶旋转涂胶器上装配一个洗边液喷嘴，从所述洗边液喷嘴内喷出少量可以去除BARC的溶剂到晶圆的边缘及背面，利用所喷的溶剂和BARC相似相容的特性将BARC去除。然而，在实际生产中发现，EBR后晶圆10边缘的BARC总是比其它位置的BARC20厚度大，如图1中虚线圈所示，导致后续刻蚀时留下残留物（residue），进而产生皱起缺陷（peeling defect）。

发明内容

本发明的目的在于提供一种底部防反射层形成方法，以解决晶圆边缘的BARC比其它位置的BARC厚度大的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种底部防反射层形成方法，包括：

S1：向晶圆中心滴底部防反射层（BARC）；

S2：旋转所述晶圆3～8秒；以及

S3：向所述晶圆边缘滴洗边液，同时旋转晶圆13～18秒。

进一步的，在所述底部防反射层形成方法的步骤S1中，所述晶圆静止。

进一步的，在所述底部防反射层形成方法的步骤S1中，所述晶圆旋转速度为100～500转/分钟。

进一步的，在所述底部防反射层形成方法的步骤S1中，滴液量是2～4ml。

进一步的，在所述底部防反射层形成方法的步骤S1中，向所述晶圆中心滴底部防反射层。

进一步的，在所述底部防反射层形成方法的步骤S2中，所述晶圆旋转速度为1000～3000转/分钟。

进一步的，在所述底部防反射层形成方法的步骤S3中，所述晶圆旋转速度为1000～2000转/分钟。

进一步的，在所述底部防反射层形成方法的步骤S3中，洗边液流量为30～70ml/min。