[发明专利]一种应用于LDO的摆率增强电路

说明书

技术领域

本发明涉及电源管理技术领域，尤其涉及一种应用于LDO的摆率增强电路。

背景技术

智能手机、个人数字助理和手持设备等便携式设备,通常需要不同的电平对不同的模块进行供电。LDO具有成本低、输出噪声小、电路结构简单、占用芯片面积小等优点，已成为电源管理芯片中的一类重要电路。LDO的本质是利用带隙基准产生的稳定电压和负反馈控制环路得到一个基本不随环境变化的输出电压。LDO能将不断衰减的电池电压转换成低噪声的稳定精确电压，以满足便携式设备中对噪声敏感的模拟模块和射频模块的需要。

传统的LDO电路如图1所示，V_out会在负载瞬态变化时产生尖峰，V_out重新恢复稳定需要一定的时间，要获得快速的负载瞬态响应，需要大的静态电流以提高对功率调整管栅极的充放电速度。而在便携式应用中需要尽量延长电池使用寿命，传统的LDO电路结构无法同时兼顾低的静态电流和快速的负载瞬态响应。

因此，为了在不显著增加静态电流的情况下获得快速的瞬态响应，需要设计一款摆率增强电路用于改善其瞬态响应。

发明内容

本发明目的就是为了弥补已有技术的缺陷，提供一种应用于LDO的摆率增强电路。

本发明是通过以下技术方案实现的：

一种应用于LDO的摆率增强电路，包括有PMOS管M₀、M₂、M₄、M₆、M₈、NMOS管M₁、M₃、M₅、M₇、M₉和电容C_f；所述的电容C_f的一端为摆率增强电路的输入端，另一端分别与PMOS管M₂的栅极、漏极、PMOS管M₄的栅极、PMOS管M₆的栅极以及NMOS管M₃的漏极连接；

PMOS管M₂的源极分别与PMOS管M₀的源极、PMOS管M₄的源极、PMOS管M₆的源极、PMOS管M₈的源极相连，并连接外部输入电源V_IN，PMOS管M₂漏极连接NMOS管M₃的漏极，PMOS管M₂栅极连接PMOS管M₄的栅极；

PMOS管M₄的漏极与NMOS管M₅的漏极和NMOS管M₉的栅极相连；NMOS管M₅的栅极分别连接NMOS管M₁的栅极、漏极、NMOS管M₃的栅极、NMOS管M₇的栅极；

NMOS管M₁漏极接PMOS管M₀的漏极，NMOS管M₁源级与NMOS管M₃的源级、NMOS管M₅的源级、NMOS管M₇的源级和NMOS管M₉的源级相连并接地；

NMOS管M₃的栅极与NMOS管M₅的栅极、NMOS管M₁的栅极、NMOS管M₇的栅极相连，NMOS管M₃的源级与NMOS管M₁的源级、NMOS管M₅的源级、NMOS管M₇的源级和NMOS管M₉的源级相连并接地；

NMOS管M₅的漏极与PMOS管M₄的漏极和NMOS管M₉的栅极相连，NMOS管M₅源级与NMOS管M₁的源级、NMOS管M₃的源级、NMOS管M₇的源级和NMOS管M₉的源级相连并接地；