[发明专利]一种交叉耦合输入的低噪声跨导放大器

权利要求书

1.一种交叉耦合输入的低噪声跨导放大器，其特征在于：该放大器包含交叉耦合输入级放大器、片外接受网络以及隔离电路；所述交叉耦合输入级放大器包括第一N型金属氧化物晶体管(M1)、第二N型金属氧化物晶体管(M2)、第三P型金属氧化物晶体管(M3)、第四P型金属氧化物晶体管(M4)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)；所述隔离电路包括第一电感(L1)、第二电感(L2)、第三电感(L3)、第四电感(L4)、第五电容(C5)、第六电容(C6)、第七电容(C7)、第八电容(C8)；所述片外接受网络包括第九电容(C9)、第十电容(C10)、第五电感(L5)、第六电感(L6)、模拟天线的信号源(V_in)和天线内阻(R_S)；

所述第六电容(C₆)的下极板和第三电感(L₃)的负端、第三电容(C₃)的上极板、第三P型金属氧化物晶体管(M₃)的源极连接；第五电容(C₅)的下极板和第一电感(L₁)的正端、第一电容(C₁)的上极板、第一N型金属氧化物晶体管(M₁)的源极连接；第六电容(C₆)的上极板和第五电容(C₅)的上极板连接，并作为低噪声跨导放大器的输入信号的正端(V_inp)；第八电容(C₈)的下极板和第二电感(L₂)的正端、第二电容(C₂)的上极板、第二N型金属氧化物晶体管(M₂)的源极连接；第七电容(C₇)的下极板和第四电感(L₄)的负端、第四电容(C₄)的上极板、第四P型金属氧化物晶体管(M₄)的源极连接；第八电容(C₈)的上极板和第七电容(C₇)的上极板连接，并作为低噪声跨导放大器的输入信号的负端(V_inn)；第一N型金属氧化物晶体管(M₁)的栅极和第一电阻(R₁)的正端、第二电容(C₂)的下极板连接；第二N型金属氧化物晶体管(M₂)的栅极和第二电阻(R₂)的正端、第一电容(C₁)的下极板连接；第三P型金属氧化物晶体管(M₃)的栅极和第三电阻(R₃)的正端、第四电容(C₄)的下极板连接；第四P型金属氧化物晶体管(M₄)的栅极和第四电阻(R₄)的正端、第三电容(C₃)的下极板连接；第一N型金属氧化物晶体管(M₁)的漏极和第三P型金属氧化物晶体管(M₃)的漏极连接，并且作为低噪声跨导放大器输出信号的正端(V_out+)；第二N型金属氧化物晶体管(M₂)的漏极和第四P型金属氧化物晶体管(M₄)的漏极连接，并且作为低噪声跨导放大器的输出信号的负端(V_out-)；第四电阻(R₄)的负端和第三电阻(R₃)的负端连接，并且接固定电压Vbias2，为第四P型金属氧化物晶体管(M₄)的栅极和第三P型金属氧化物晶体管(M₃)的栅极提供直流偏置；第二电阻(R₂)的负端和第一电阻(R₁)的负端连接，并且接固定电压Vbias1，为第一N型金属氧化物晶体管(M₁)的栅极和第二N型金属氧化物晶体管(M₂)的栅极提供直流偏置；第一电感(L₁)的负端和第二电感(L₂)的负端接地；第三电感(L₃)的正端和第四电感(L₄)的正端接电源电压；

所述片外接受网络的模拟天线的信号源(V_in)和天线内阻(R_S)设置在低噪声跨导放大器的输入端，模拟天线的信号源(V_in)的输出端和天线内阻(R_S)的一端连接；第六电感(L₆)的正端、第九电容(C₉)的上极板和天线内阻(R_S)的另一端相连；第九电容(C₉)的下极板和第五电感(L₅)的正端连接到所述低噪声跨导放大器的输入信号的正端(V_inp)；第六电感(L₆)的负端和第十电容(C₁₀)的上极板连接到所述低噪声跨导放大器的输入信号的负端(V_inn)；第五电感(L₅)的负端和、第十电容(C₁₀)的下极板接地。