[发明专利]铝残留的去除方法在审

专利信息
申请号: 201410015037.1 申请日: 2014-01-13
公开(公告)号: CN104779156A 公开(公告)日: 2015-07-15
发明(设计)人: 杨晓松;王清蕴 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/321 分类号: H01L21/321
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 残留 去除 方法
【权利要求书】:

1.一种铝残留的去除方法,用于在铝垫制作过程中,去除蚀刻后非铝垫区域的铝残留,包括:

提供前端结构,所述前端结构至少包括金属铝层;

在所述金属铝层中形成多个沟槽,所述沟槽中具有铝残留;

涂敷光阻,所述光阻覆盖所述前端结构并填充于所述沟槽中;

在对应所述沟槽的光阻处进行曝光,并进行显影,所述显影时间长于设定的标准显影时间,以将铝残留去除。

2.如权利要求1所述的铝残留的去除方法,其特征在于,所述显影时间为设定的标准显影时间的5~15倍。

3.如权利要求2所述的铝残留的去除方法,其特征在于,进行曝光时曝光能量低于设定的标准曝光能量,以在所述沟槽侧壁形成一光阻薄膜。

4.如权利要求3所述的铝残留的去除方法,其特征在于,所述曝光能量低于设定的标准曝光能量的8%~15%。

5.如权利要求1所述的铝残留的去除方法,其特征在于,所述金属铝层的厚度为

6.如权利要求1所述的铝残留的去除方法,其特征在于,所述光阻位于所述金属铝层之上的厚度为

7.如权利要求1-6中任意一项所述的铝残留的去除方法,其特征在于,在进行显影后,还包括:清洗经显影后的前端结构。

8.如权利要求7所述的铝残留的去除方法的形成方法,其特征在于,采用去离子水进行清洗,并进行甩干。

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