[发明专利]铝残留的去除方法在审
申请号: | 201410015037.1 | 申请日: | 2014-01-13 |
公开(公告)号: | CN104779156A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 杨晓松;王清蕴 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/321 | 分类号: | H01L21/321 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 残留 去除 方法 | ||
1.一种铝残留的去除方法,用于在铝垫制作过程中,去除蚀刻后非铝垫区域的铝残留,包括:
提供前端结构,所述前端结构至少包括金属铝层;
在所述金属铝层中形成多个沟槽,所述沟槽中具有铝残留;
涂敷光阻,所述光阻覆盖所述前端结构并填充于所述沟槽中;
在对应所述沟槽的光阻处进行曝光,并进行显影,所述显影时间长于设定的标准显影时间,以将铝残留去除。
2.如权利要求1所述的铝残留的去除方法,其特征在于,所述显影时间为设定的标准显影时间的5~15倍。
3.如权利要求2所述的铝残留的去除方法,其特征在于,进行曝光时曝光能量低于设定的标准曝光能量,以在所述沟槽侧壁形成一光阻薄膜。
4.如权利要求3所述的铝残留的去除方法,其特征在于,所述曝光能量低于设定的标准曝光能量的8%~15%。
5.如权利要求1所述的铝残留的去除方法,其特征在于,所述金属铝层的厚度为
6.如权利要求1所述的铝残留的去除方法,其特征在于,所述光阻位于所述金属铝层之上的厚度为
7.如权利要求1-6中任意一项所述的铝残留的去除方法,其特征在于,在进行显影后,还包括:清洗经显影后的前端结构。
8.如权利要求7所述的铝残留的去除方法的形成方法,其特征在于,采用去离子水进行清洗,并进行甩干。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造