[发明专利]射频优化方法和装置有效

专利信息
申请号: 201410015092.0 申请日: 2014-01-13
公开(公告)号: CN103731847B 公开(公告)日: 2017-04-19
发明(设计)人: 赵建平;王琳琳 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H04W16/28 分类号: H04W16/28;H04W24/02
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 刘芳
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 射频 优化 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明实施例涉及通信技术,尤其涉及一种射频优化方法和装置。

背景技术

随着通信技术的发展,时分双工(Time Division Duplexing,以下简称TDD)网络建设将面临一副天线需要同时支持多个频段的情况,例如在时分同步码分多址(Time Division-Synchronous Code Division Multiple Access,以下简称TD-SCDMA)系统和时分长期演进(Time Division-Long Term Evolution,以下简称TD-LTE)系统组网的情况下,天线既要能支持TD-SCDMA系统的所有频段,还要能支持TD-LTE系统的所有频段。

目前,较为常用的方法是将支持TD-SCDMA系统频段的天线与支持TD-LTE系统频段的天线合并为一副归一化天线,再调整射频参数,实现对这两种系统的射频优化。但是,TD-SCDMA系统与TD-LTE系统共用一副归一化天线彼此之间相互制约,现有的射频优化方法不能使两个系统同时达到预期的射频优化效果。

发明内容

本发明实施例提供一种射频优化方法和装置,以解决现有的射频优化方法不能使两个系统同时达到预期的射频优化效果的问题。

第一方面,本发明实施例提供一种射频优化方法,包括:

获取基站扇区中第一系统天线的第一射频参数和第二系统天线的第二射频参数,所述第一射频参数包括第一方位角、第一机械下倾角、第一电子下倾角、第一波束权值以及第一发射功率,所述第二射频参数包括第二方位角、第二机械下倾角、第二电子下倾角、第二波束权值以及第二发射功率;

根据所述第一射频参数和第二射频参数确定所述基站扇区中双系统天线的设置方式,并对所述双系统天线的射频配置参数进行优化,以使所述双系统的射频优化效果达到所述第一系统和所述第二系统各自独立架设天线的情况下的射频优化效果,所述双系统包括所述第一系统、所述第二系统。

结合第一方面,在第一方面的第一种可能的实现方式中,所述根据所述第一射频参数和第二射频参数确定所述基站扇区中双系统天线的设置方式,并对所述双系统天线的射频配置参数进行优化,包括:

根据

A=|MA_A–MA_D|

计算获取方位角差,其中,A表示所述方位角差,MA_A表示所述第一方位角,MA_D表示所述第二方位角;

根据

B=|MT_A+ET_A–MT_D–ET_D|

计算获取下倾角差,其中,B表示所述下倾角差,MT_A表示所述第一机械下倾角,ET_A表示所述第一电子下倾角,MT_D表示所述第二机械下倾角,ET_D表示所述第二电子下倾角;

根据所述方位角差和所述下倾角差确定所述基站扇区中双系统天线的设置方式,并对所述双系统天线的射频配置参数进行优化。

结合第一方面的第一种可能的实现方式,在第一方面的第二种可能的实现方式中,所述第二系统天线的频段为2500兆赫兹~2690兆赫兹,所述根据所述方位角差和所述下倾角差确定所述基站扇区中双系统天线的设置方式,并对所述双系统天线的射频配置参数进行优化,包括:

若所述方位角差小于等于预设方位角阈值,且所述下倾角差大于预设下倾角阈值,则采用第一方案确定所述基站扇区中双系统天线的设置方式,并对所述双系统天线的射频配置参数进行优化;或者,

若所述方位角差小于等于所述预设方位角阈值,且所述下倾角差小于等于所述预设下倾角阈值,则采用第二方案确定所述基站扇区中双系统天线的设置方式,并对所述双系统天线的射频配置参数进行优化。

结合第一方面的第二种可能的实现方式,在第一方面的第三种可能的实现方式中,所述第一方案,包括:确定所述基站扇区中双系统天线的设置方式;并且,

根据所述第二方位角调整所述双系统天线的方位角;

根据所述第一机械下倾角调整所述双系统天线的机械下倾角;

将所述双系统天线的射频配置参数中对应于所述第一系统的电子下倾角确定为所述第一电子下倾角;

根据

C=ET_D+MT_D–MT_A

计算获取所述双系统天线的射频配置参数中对应于所述第二系统的电子下倾角,其中,C表示所述第二系统的电子下倾角;

将所述双系统天线的射频配置参数中对应于所述第一系统的发射功率确定为所述第一发射功率,将所述双系统天线的射频配置参数中对应于所述第二系统的发射功率确定为所述第二发射功率;

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