[发明专利]一种变频器检测保护电路在审
申请号: | 201410015176.4 | 申请日: | 2014-01-14 |
公开(公告)号: | CN104779584A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | 杨俊涵;张超;于波 | 申请(专利权)人: | 易泰帝传动技术(烟台)有限公司 |
主分类号: | H02H7/12 | 分类号: | H02H7/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 264006 山东省烟*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 变频器 检测 保护 电路 | ||
技术领域
本发明涉及变频器IGBT逆变桥驱动保护领域,尤其是用于变频器IGBT器件短路保护和电流过大的一种变频器检测保护电路。
背景技术
目前,变频器在工业控制中的应用越来越广泛,变频调速系统已成为电力电子传动领域的主流调速方式;
变频器是整个交流变频调速系统中的核心控制装置,其稳定性和可靠性对整个系统的影响至关重要。在发生故障时,首要要做的是尽量将故障带来的损伤降到最小,避免变频器的关键元器件发生损坏。变频器自身具有各种各样的保护电路,如,过压、欠压、超温、过载、过电流、短路电流等保护功能,以保证变频器在遇到上述的异常状况时,合理地降低损失,可靠地关断IGBT器件的输出;
IGBT是全控型功率半导体器件,为电压型驱动方式,具有驱动功率小,饱和管压降低的优点,是大多数变频器三相逆变桥的首选功率器件。大多数情况下,IGBT损坏的原因主要有三种:一是IGBT退出饱和区进入放大区,使得器件开关损耗和导通损耗变大;二是IGBT发生上下桥臂直接导通,瞬间将产生极高的短路电流,使IGBT损坏;三是变频器的输出侧发生短路或电动机堵转,变频器中会流过很大的电流,从而造成电力电子功率器IGBT件损坏。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,提供一种响应迅速,关断可靠,性价比较高的变频器的检测保护电路,实现对IGBT功率器件欠饱和区管压降的实时监测,在IGBT发生短路和过电流时可靠关断,能够有效及时地检测IGBT中流过的短路和过大电流,稳定可靠地关断电力电子器件的保护控制电路。
本发明解决其技术问题的技术方案是,一种变频器检测保护电路,包括管压降采样单元、比较器单元、负压钳位单元、3120光耦驱动单元、参考电位单元、过流保护输出电路单元和IGBT主电路单元。其中:
所述管压降采样单元的输入端连接到IGBT主电路单元,用于检测反映IGBT中流过电流的管压降;
所述比较器单元的输入端连接到管压降采样单元的输出端,用于采样到的反映IGBT管压降的电压值达到某个设定的阈值时,输出低电平电压值;
所述过流保护输出电路单元的输入端连接到比较器单元的输出端,用于在比较器单元输出低电平时,输出单元的光耦二极管导通,输出低电平保护信号;
所述负压钳位单元的输入端连接到3120驱动光耦单元,比较器单元的输入端连接到负压钳位单元的输出端,用于在IGBT关断期间,将比较器单元的反向输入端钳位在一个负电压值,避免误保护的发生;
所述参考电位单元的输入端连接到+15V电源,输出端连接到比较器单元,用于给比较器单元的同相输入端提供固定的参考电位。
所述IGBT主电路单元的输入端连接到直流母线,输出端连接到管压降采样单元,该IGBT主电路单元的上3管的集电极连接到所述管压降采样单元,该单元用于根据IGBT流过的电流值与管压降电压值成一定曲线关系的现象,检测IGBT中发生的短路和过大电流。
本发明与现有技术对比的有益效果是,本发明所述的电路过大检测保护电路直接检测功率器件管压降,响应速度更快,大多数情况下,IGBT器件的短路电流耐受时间较短,对保护电路的反映时间要求极高,短路信号更快的动作速度保证了对IGBT器件的最大限度的可靠保护,通过采样功率器件IGBT的集电极与发射极两端的管压降,实现对变频器逆变桥三个上桥臂功率IGBT管的电流采样检测,在发生上下桥臂直通短路或电流过大的情况下,可靠地关断6路PWM驱动信号,从而可靠地关断6个功率IGBT管。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明。
图1为一种变频器检测保护电路的逻辑功能框图,其中,IGBT主电路单元中的IGBT是绝缘栅双极型晶体管,3120光耦驱动单元中的驱动光耦3120是IGBT门极驱动光耦。
图2为一种变频器检测保护电路的电路图,其中,电阻R2与二极管D2串联后,接直流母线正端;电阻R5与二极管D1串联后,接驱动光耦3120的6脚。
图3为一种变频器检测保护电路的3120光耦驱动单元中,驱动光耦3120的功能框图。其中,N/C是空脚,无连接;ANODE是初级二极管阳极;CATHODE是初级二极管阴极;VO是次级推挽输出; 是次级电源脚;是次级参考地。
具体实施方式
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