[发明专利]分离装置

说明书

提供一种分离装置，能容易地将由第1基板和第2基板接合而成的复合基板分离成第1基板和第2基板。该分离装置具备：支承基座，具有支承复合基板的支承面；侧面支承构件，支承载置于支承面的复合基板的外周侧面；以及剥离构件，插入构成复合基板的第1基板与第2基板的边界部而将第1基板和第2基板剥离，剥离构件具备：剥离部件，以与支承基座的支承面平行的状态配设，并具备插入到第1基板与第2基板的边界部的楔部；剥离部件定位构件，其使剥离部件相对于支承基座的支承面沿与该支承面垂直的方向移动，将楔部定位在第1基板与第2基板的边界部；以及剥离部件进退构件，其使上述楔部相对于构成复合基板的第1基板与第2基板的边界部进退。

技术领域

本发明涉及将由第1基板和第2基板接合而成的复合基板分离成第1基板和第2基板的分离装置。

背景技术

在光器件制造工艺中，大致圆板形状的蓝宝石基板和碳化硅等磊晶基板的表面隔着缓冲层层叠有发光层，其中，该发光层是由n型半导体层和p型半导体层构成的，所述n型半导体层和p型半导体层是由氮化镓（GaN）、磷化铟镓（INGaP）或者氮化铝镓（AlGaN）构成的，在被呈格子状形成的多个间隔道划分出的多个区域形成发光二极管、激光二极管等光器件而构成光器件晶片。然后，沿着间隔道对光器件晶片进行分割，由此制造出一个一个的光器件。

并且，作为提高光器件的亮度的技术，在下述专利文献1中公开了被称为剥离（liftoff）的制造方法：将钼（Mo）、銅（Cu）、硅（Si）等移设基板隔着金锡（AuSn）等接合金属层而接合于发光层，该发光层隔着缓冲层层叠于构成光器件晶片的蓝宝石或碳化硅等磊晶基板的表面，由n型半导体层和p型半导体层构成，通过从磊晶基板的背面侧照射具有能被缓冲层吸收的波长（例如248nm）的激光光线来破坏缓冲层，使磊晶基板从发光层剥离，将发光层转移到移设基板。

现有技术文献

专利文献1：日本特表2005-516415号公报

而且，当从磊晶基板的背面侧将聚光点定位在缓冲层来照射激光光线时，通过使构成缓冲层的氮化镓（GaN）、磷化铟镓（INGaP）或氮化铝镓（AlGaN）分解成Ga和气体（N₂等）来破坏缓冲层，但存在下述这样的问题：存在氮化镓（GaN）、磷化铟镓（INGaP）或氮化铝镓（AlGaN）分解成Ga和气体（N₂等）的区域、以及未分解的区域，从而存在缓冲层的破坏产生不均匀而磊晶基板的剥离无法顺畅地进行。

而且，在为了提高光器件的亮度而在磊晶基板的表面形成有凹凸的情况下，存在这样的问题：激光光线被凹凸的壁遮挡而抑制了对缓冲层的破坏，从而磊晶基板的剥离变得困难。

发明内容

本发明正是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术的课题是提供一种将由第1基板和第2基板接合而成的复合基板分离成第1基板和第2基板的分离装置。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种分离装置，所述分离装置用于将由第1基板和第2基板接合而成的复合基板分离成第1基板和第2基板，其特征在于，

所述分离装置具备：

支承基座，其具有对复合基板以水平状态进行支承的支承面；

侧面支承构件，其配设于该支承基座，对载置于该支承面的复合基板的外周侧面进行支承；以及

剥离构件，其插入到构成被该支承基座的该支承面和该侧面支承构件支承的复合基板的第1基板与第2基板的边界部而将第1基板和第2基板剥离，