[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201410015627.4 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103972289A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 徳田悟 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体装置的方法，包括：
在层压的衬底的第一表面中形成第一凹部和围绕第一凹部的第二凹部，并且用保护膜覆盖第一凹部的侧表面的上部和层压的衬底的第一表面，其中第一导电类型的半导体衬底和具有比该半导体衬底低的杂质浓度的第一导电类型的半导体层层压在该层压的衬底中；
通过以保护膜作为掩膜来热氧化第一凹部和第二凹部，形成位于第一凹部的侧表面的下部和底表面处的第一绝缘膜和位于第二凹部的侧表面和底表面上的第二绝缘膜；
去除保护膜；
通过热氧化第一凹部，在第一凹部的侧表面的上部处形成比第一绝缘膜和第二绝缘膜薄的栅极绝缘膜；以及
在第一凹部中嵌入栅极电极并且还在第二凹部中形成嵌入电极。
2.一种制造半导体装置的方法，包括：
在层压的衬底的第一表面中形成第一凹部和围绕第一凹部的第二凹部，并且用保护膜覆盖第一凹部的侧表面的上部、第二凹部的侧表面的上部和层压的衬底的第一表面，其中第一导电类型的半导体衬底和具有比该半导体衬底低的杂质浓度的第一导电类型的半导体层层压在该层压衬底中；
通过以保护膜作为掩膜热氧化第一凹部和第二凹部，形成位于第一凹部的侧表面的下部和底表面处的第一绝缘膜和位于第二凹部的侧表面的下部和底表面上的第二绝缘膜；
去除位于第二凹部的侧表面的上部处的保护膜；
通过以保护膜作为掩膜来热氧化第一凹部和第二凹部，在第二凹部的侧表面的上部处形成比第二绝缘膜薄的第三绝缘膜；
去除保护膜；
通过热氧化第一凹部，在第一凹部的侧表面的上部处形成比第三绝缘膜薄的栅极绝缘膜；以及
在第一凹部中嵌入栅极电极并且还在第二凹部中形成嵌入电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410015627.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：混合动力系统及使用该混合动力系统的车辆
- 下一篇：一种电动叉车电池罩
- 同类专利
- 专利分类
