[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置的操作方法，其特征在于，该非易失性存储器装置的一非易失性存储器模块包括一第一实体块与一第二实体块，该操作方法包括：

对该非易失性存储器装置进行重整，并将已完成重整的一第一重整数据写入该第一实体块的至少一第一页面；

在于一断电事件后再一次供电给该非易失性存储器装置时，对该第二实体块进行一抹除程序；

在该抹除程序完成后，将该第一实体块在该断电事件之前所写入的该第一重整数据复制到该第二实体块的至少一第二页面上，其中所述至少一第二页面对应于所述至少一第一页面；以及

继续对该非易失性存储器装置进行重整，并将再一次供电给该非易失性存储器装置之后所继续重整的一第二重整数据写入该第二实体块。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置的操作方法，其特征在于，在将该第一实体块在该断电事件之前所写入的该第一重整数据复制到该第二实体块的所述第二页面上的步骤包括：取得在该断电事件之前已完整写入该第一实体块的该第一重整数据，并将该第一重整数据复制到该第二实体块的所述第二页面上。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置的操作方法，其特征在于，

在对该非易失性存储器装置进行重整、并将已完成重整的该第一重整数据写入该第一实体块的所述第一页面的步骤包括：提供一信息表，用以记录至少一实体地址信息，所述实体地址信息分别指出该第一实体块的所述第一页面的多个第一实体地址；以及

在继续对该非易失性存储器装置进行重整、并将所述再一次供电给该非易失性存储器装置之后所重整的该第二重整数据写入该第二实体块的步骤包括：更新该信息表的所述实体地址信息，使所述实体地址信息分别从指出所述第一实体地址、改成指出该第二实体块的所述第二页面的多个第二实体地址。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置的操作方法，其特征在于，该断电事件造成该第一实体块的至少二个该第一页面的数据错误，而具有错误数据的所述页面对应同一存储单元。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置的操作方法，其特征在于，所述将已完成重整的该第一重整数据写入该第一实体块的至少一第一页面的步骤包括：

将该第一重整数据写入该第一实体块中；

判断一条件是否成立，其中该条件包括该第一重整数据的多个逻辑地址为连续且该第一重整数据位在同一个实体块的多个连续页面中；以及

当该条件成立时，将该第一重整数据的起始逻辑地址、该第一重整数据的起始实体地址与该第一重整数据的数据长度分别记录在一执行长度映射表中的一逻辑地址栏位、一实体地址栏位以及一长度栏位。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置的操作方法，其特征在于，该执行长度映射表中的该逻辑地址栏位为一逻辑页地址栏位，该执行长度映射表中的该实体地址栏位包括一实体块地址栏位以及一实体页地址栏位。

7.根据权利要求5所述的非易失性存储器装置的操作方法，其特征在于，所述将已完成重整的该第一重整数据写入该第一实体块的至少一第一页面的步骤还包括：

当该条件不成立时，将该第一重整数据的所述多个逻辑地址与该第一重整数据的多个实体地址分别记录在一页映射表中的一逻辑地址栏位与一实体地址栏位。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置的操作方法，其特征在于，还包括：

当在该非易失性存储器模块内操作于单层存储单元模式的多个实体块之中的三个实体块的所有页面均被使用时，对所述三个实体块进行重整，以将所述三个实体块的数据重整至该非易失性存储器模块内操作于三层存储单元模式的该第一实体块或该第二实体块中。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置的操作方法，其特征在于，对所述三个实体块进行重整的步骤包括：

判断一条件是否成立，其中该条件包括该非易失性存储器模块内操作于三层存储单元模式的实体块中任一个的抹除次数已达一第一门槛值、或者该非易失性存储器模块内操作于三层存储单元模式的实体块中任一个的位错误率已达一第二门槛值；以及

当该条件成立时，读取所述三个实体块的数据至该非易失性存储器模块外部的一存储器控制器，由所述存储器控制器对所述三个实体块的数据进行纠错，以及将纠错后的数据从所述存储器控制器写入操作于三层存储单元模式的该第一实体块或该第二实体块中。