[发明专利]一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片

说明书

技术领域

本发明涉及半导体材料制备领域，尤其涉及一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片。

背景技术

半导体制造工艺中，在半导体硅（Si）片表面生长金属，以形成金属—半导体界面的方法，在半导体芯片制造技术中具有广泛的应用。

现有技术中，一般通过氢氟（HF）酸对硅片进行清洗处理，以去除硅片表面的二氧化硅（SiO₂）氧化层和其他杂质，从而得到清洁的硅表面，然后再进行金属材料的进一步生长。

但是，对于在Si基片上覆盖大面积的纯金属铝（Al）或一定掺杂的铝（Al/Si/Cu，Al/Si）的情况，如果采用现有技术中的HF酸直接清洗的方法，裸露出清洁的硅表面，则会产生严重的硅、铝互溶。互溶处的厚度异常会导致外观异常，致使生长后的产品外观会出现花纹以及色差，如图1所示。由此会严重影响产品的外观检验以及封装。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明提供一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片，以解决现有技术中对硅片的清洗方式容易导致生长铝之后硅铝界面外观异常的技术问题。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供一种硅铝生长界面的处理方法，包括：

利用氢氟酸清洗硅片；

利用去离子水超声清洗得到清洁的硅片表面；

氧化所述清洁的硅片表面，生成一层0.5nm～2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层。

进一步地，所述氧化所述清洁的硅片表面包括：

利用NH₄OH+H₂O₂+H₂O溶液清洗氧化硅片表面。

进一步地，所述利用NH₄OH+H₂O₂+H₂O溶液清洗氧化硅片表面包括：

利用比例为1:2:10的NH₄OH+H₂O₂+H₂O溶液，在温度45℃～90℃下清洗氧化硅片表面5～10分钟。

进一步地，所述氧化所述清洁的硅片表面包括：

利用HCL+H₂O₂+H₂O溶液清洗氧化硅片表面。

进一步地，所述利用HCL+H₂O₂+H₂O溶液清洗氧化硅片表面包括：

利用比例为1:2:10的HCL+H₂O₂+H₂O溶液，在温度45℃～90℃下清洗氧化硅片表面5～10分钟。

进一步地，所述氧化所述清洁的硅片表面包括：

利用H₂SO₄+H₂O₂溶液清洗氧化硅片表面。

进一步地，所述利用H₂SO₄+H₂O₂溶液清洗氧化硅片表面包括：

利用比例为3:1～4:1的H₂SO₄+H₂O₂溶液，在温度120℃～150℃下清洗氧化硅片表面5～10分钟。

进一步地，所述生成一层0.5nm～2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层包括：生成一层1nm厚度均匀的二氧化硅氧化层

另一方面，本发明还提供一种用于生长铝的硅片，包括：清洁的硅片衬底，和0.5nm～2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层；所述二氧化硅氧化层覆盖在所述清洁的硅片衬底上。

进一步地，所述0.5nm～2nm厚度均匀的二氧化硅氧化层为：

1nm厚度均匀的二氧化硅氧化层。

（三）有益效果

可见，在本发明提出的一种硅铝生长界面的处理方法和一种用于生长铝的硅片中，并不是直接将清洁的硅表面裸露出来，而是在上面再均匀地覆盖一层很薄的二氧化硅氧化层，这样能够有效隔绝后续生长铝的过程中产生的硅铝互溶现象，解决了现有技术中硅铝界面外观异常的技术问题。

附图说明