[发明专利]相变存储单元的制备方法

权利要求书

1.一种相变存储单元的制备方法，包括：

在一基底一表面设置一碳纳米管线，所述碳纳米管线的轴向平行于所述基底的表面；

将所述碳纳米管线弯折形成一弯折部；

设置一第一电极、第二电极及一第三电极，所述第一电极、第二电极分别与所述碳纳米管线的两端电连接，所述第三电极与所述碳纳米管线的弯折部间隔设置；以及

沉积一相变层至少部分覆盖所述弯折部，并且与所述第三电极电连接。

2.如权利要求1所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，通过从超顺排碳纳米管阵列中直接拉伸出来获得所述碳纳米管线。

3.如权利要求3所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管线包括相对的第一端及第二端，将所述碳纳米管线弯折包括将所述碳纳米管线的第一端和第二端逐渐靠近，从而使碳纳米管线位于第一端和第二端之间的部分弯折形成一弯折部。

4.如权利要求1所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，进一步包括将所述碳纳米管线弯折形成至少一弧形，该弧形至少一点的曲率k>1/R，其中R为该点的曲率半径。

5.如权利要求1所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，进一步包括将所述碳纳米管线弯折形成至少一折角，该折角的角度θ大于30度小于120度。

6.如权利要求1所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，进一步包括将所述碳纳米管线螺旋回转形成一回型环状结构的弯折部。

7.如权利要求1所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，所述相变层通过以下步骤沉积在所述基底的表面：

提供一掩模，所述掩模具有多个通孔；

将所述掩模设置在所述基底的表面，对应通孔位置处的所述弯折部及所述第三电极通过所述通孔暴露出来；

在所述基底的表面沉积相变层，覆盖所述通孔位置处的弯折部及所述第三电极；以及

去除所述掩模。

8.一种相变存储单元的制备方法，包括：

步骤S21，提供一基底；

步骤S22，在基底一表面间隔设置多个牺牲柱；

步骤S23，提供一碳纳米管线材，将所述碳纳米管线材的一端固定于所述基底表面；

步骤S24，围绕一牺牲柱弯折所述碳纳米管线材，形成一弯折部后切断所述碳纳米管线材，形成一碳纳米管线；

步骤S25，重复步骤S23及步骤S24，形成多个碳纳米管线后去除所述牺牲柱；

步骤S26，设置多个第一电极、第二电极及第三电极，所述第一电极、第二电极分别与碳纳米管线的两端电连接，所述第三电极与所述多个碳纳米管线的多个弯折部间隔设置；以及

步骤S27，在多个碳纳米管线的弯折部分别沉积一相变层，并且与所述第三电极电连接。

9.如权利要求8所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，进一步包括一碳纳米管线材供给装置，所述碳纳米管线材供给装置连续不断的供应碳纳米管线材，并带动所述碳纳米管线材弯折。

10.如权利要求9所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管线材供给装置包括一针管及针头，所述碳纳米管线材位于针管内，且通过所述针头露出。

11.如权利要求10所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，将从所述针头露出的碳纳米管线材的一端固定于所述基底表面，并拉动所述碳纳米管线材，围绕所述牺牲柱弯折，并将弯折后的碳纳米管线材的另一端拉离所述牺牲柱预定距离后，固定于所述基底表面。

12.如权利要求8所述的相变存储单元的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管线材围绕所述牺牲柱转动多圈，使碳纳米管线材在所述牺牲柱的表面形成多圈结构，得到一回型环状结构的弯折部。