[发明专利]屏蔽背腔式缝隙去耦合RFID标签无效
申请号: | 201410017348.1 | 申请日: | 2014-01-15 |
公开(公告)号: | CN104050496A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 巴拉克·莫豪杰-伊拉瓦尼;查尔斯·维尔纳 | 申请(专利权)人: | 欧姆尼-ID(开曼)有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 石海霞;郑特强 |
地址: | 开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 屏蔽 背腔式 缝隙 耦合 rfid 标签 | ||
1.一种屏蔽去耦合RFID标签,包括:
去耦合器,包括具有导电材料壁的三维腔体;
标签,位于所述三维腔体中;以及
至少一个缝隙,位于所述导电材料壁中,用于创建使RF通信信号进入所述三维腔体和/或从所述三维腔体输出的通道。
2.根据权利要求1所述的屏蔽去耦合RIFD标签,其中,所述至少一个缝隙是单个缝隙。
3.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述标签包括IC芯片和天线。
4.根据权利要求1-2中任何一个权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述标签是IC芯片和共振器的组合。
5.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述标签相对于所述缝隙被布置使得从所述缝隙到所述天线的耦合场给所述IC供电。
6.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述标签被布置在所述腔体内从所述缝隙到所述天线的场被强耦合的位置处。
7.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,一个或多个间隔件位于所述标签与所述缝隙之间。
8.根据权利要求7所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述一个或多个间隔件由空气、介电材料、磁性材料、人造磁性材料、磁介电材料及其组合制成。
9.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,一个或多个间隔件被放置在所述缝隙上方。
10.根据权利要求9所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述一个或多个间隔件由介电材料、磁性材料、人造磁性材料、磁介电材料或其组合制成。
11.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,由非导电材料制成的外壳覆盖所述导电材料壁的外表面。
12.根据权利要求11所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,非导电材料外壳罩住所述缝隙。
13.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,非导电材料外壳包括覆盖有安装粘合剂的壁部。
14.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述缝隙在工作频率处共振,例如半波长共振器。
15.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述腔体在工作频率处共振,例如半波长共振器。
16.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述标签在工作频率处共振,例如半波长共振器。
17.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述缝隙的几何形状是任意的。
18.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述缝隙的几何形状选自圆形、环形、正方形、矩形、三角形以及十字形。
19.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,材料大体填充所述三维腔体。
20.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述导电材料壁基本上防止处于工作频率的RF信号进入所述腔体。
21.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,与所述缝隙和天线相关联的电磁场型式是耦合的。
22.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述标签、所述缝隙以及所述腔体在工作频率处全部共振。
23.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述去耦合器包括外壁部,所述外壁部包括安装粘合剂。
24.根据任何在前的权利要求所述的屏蔽去耦合RFID标签,其中,所述标签是选自被动式标签、主动式标签或电池辅助被动式标签。
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