[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在体半导体衬底的第一侧上形成鳍；

在衬底的第一侧上形成隔离层；

在隔离层上形成与鳍相交的栅堆叠；

在衬底的第一侧上继续前端工艺及后端工艺；

从衬底的与第一侧相对的第二侧，减薄衬底；

进行氧化，使得鳍埋入隔离层中的至少一部分以及隔离层之下的衬底转变为绝缘的氧化物；以及

在氧化后的衬底的第二侧上形成支撑衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成支撑衬底包括：

在氧化后的衬底的第二侧上淀积半导体膜或导电材料膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在氧化操作中，鳍埋入隔离层中的所有部分被氧化，而鳍未被隔离层围绕的部分未被氧化。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在减薄操作中，减薄后衬底位于隔离层之下的厚度为50μm。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过化学机械抛光进行减薄。