[发明专利]半导体器件的金属电极制造方法在审
| 申请号： | 201410018125.7 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN104779149A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 李展信;赵永翠;徐振宇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 金属电极 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的金属电极制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
形成钛钨合金膜；
在所述钛钨合金膜上形成金膜；
将由所述钛钨合金膜和金膜形成的膜体置于温度大于400℃的环境下，并保持不少于30分钟，然后冷却，最后得到金属电极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的金属电极制造方法，其特征在于，采用溅射工艺形成钛钨合金膜。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的金属电极制造方法，其特征在于，所述钛钨合金膜厚度为3nm～15nm。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的金属电极制造方法，其特征在于，采用蒸发工艺在所述钛钨合金膜上形成金膜。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的金属电极制造方法，其特征在于，所述金膜厚度为50nm～150nm。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的金属电极制造方法，其特征在于，将由所述钛钨合金膜和金膜形成的膜体置于420℃的环境下，并保持不少于30分钟，然后冷却。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的金属电极制造方法，其特征在于，将由所述钛钨合金膜和金膜形成的膜体置于温度大于400℃的环境下，并保持55～65分钟，然后冷却。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的金属电极制造方法，其特征在于，所述膜体冷却后，采用湿法刻蚀法将所述膜体的多余部分去除。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的金属电极制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀法将所述膜体的多余部分去除后，将残留在所述膜体的卤素进行去除。
10.根据权利要求1～9任一项所述的半导体器件的金属电极制造方法，其特征在于，所述环境为氮气气氛环境。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
