[发明专利]使用温度传感器自适应软编程非易失存储器的系统及方法有效
申请号: | 201410018415.1 | 申请日: | 2014-01-16 |
公开(公告)号: | CN103943147B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | J·S·朝伊 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 温度传感器 自适应 编程 非易失 存储器 系统 方法 | ||
1.一种对具有位单元的阵列的非易失性存储器(NVM)进行软编程的方法,其中所述软编程发生于擦除所述位单元之后,所述方法包括:
确定过擦除的位单元;
检测温度;
基于所述温度提供第一软编程栅电压;
使用所述第一软编程栅电压对所述过擦除的位单元执行软编程;
识别任何剩余的过擦除的位单元;
如果有任何剩余的过擦除的位单元,使用从所述第一软编程栅电压递增的第二软编程栅电压对所述剩余的过擦除的位单元执行软编程。
2.权利要求1所述的方法,其中检测温度包括:
使用温度传感器来提供与温度有关的电压;以及
将所述与温度有关的电压耦合到模数转换器。
3.根据权利要求2所述的方法,其中提供第一软编程栅电压包括:
响应于模数信号的输出提供电压选择信号;
使用可编程电压发生器来给所述电压选择信号提供所述第一软编程栅电压。
4.根据权利要求3所述的方法,其中对所述剩余的过擦除的位单元执行软编程的进一步特征在于:递增所述电压选择信号以引起所述可编程电压发生器递增所述第一软编程栅电压以获得所述第二软编程栅电压。
5.根据权利要求1所述的方法,还包括:
识别任何其它剩余的过擦除的位单元;
如果有任何其它剩余的过擦除的位单元,使用从所述第二软编程栅电压递增的第三软编程栅电压对所述其它剩余的过擦除的位单元执行软编程。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括继续确定过擦除的位单元是否产生于软编程并且递增紧接在前的软编程电压,直到:
所有所述过擦除的位单元被充分地软编程;
已经施加软编程脉冲的最大数量;或
所述软编程栅电压的最大量值已经被用于软编程。
7.根据权利要求1所述的方法,其中确定所述过擦除的位单元包括:确定哪些位单元具有低于预定电压的阈值电压。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述递增的量值是所述温度的函数。
9.一种非易失性存储器(NVM),包括:
位单元的阵列;
温度传感器;
耦合于所述温度传感器的软编程栅电压选择器;
耦合于所述软编程栅电压选择器的软编程逻辑,其中所述软编程逻辑控制所述位单元的软编程;
耦合于所述软编程逻辑的可编程栅电压发生器;
耦合于所述可编程栅电压发生器、所述位单元的阵列和所述软编程逻辑的行解码器;以及
耦合于所述软编程逻辑和所述位单元的阵列的列逻辑,
其中所述软编程逻辑使用所述可编程栅电压发生器在软编程操作期间向所述行解码器提供软编程栅电压;并且
其中所述软编程栅电压基于由所述温度传感器感测的温度而被选择。
10.根据权利要求9所述的非易失性存储器(NVM),其中所述软编程逻辑在过擦除的位单元上运行软编程。
11.根据权利要求10所述的非易失性存储器(NVM),其中当对仍然被过编程位单元的后续编程操作进行软编程操作之后,过擦除的位单元仍剩余时,所述软编程逻辑递增所述软编程栅电压。
12.根据权利要求11所述的非易失性存储器(NVM),其中当所有所述位单元具有高于预定的阈值电压的阈值电压时,所述软编程逻辑完成软编程处理。
13.根据权利要求12所述的非易失性存储器(NVM),其中所述温度传感器提供表示被感测的温度的数字输出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司,未经恩智浦美国有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410018415.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。