[发明专利]一种大面积转移CVD石墨烯膜的方法

权利要求书

1.一种大面积转移CVD石墨烯膜的方法，包括以下步骤：

a. 利用CVD的方法在金属箔基底上制备石墨烯膜；

b. 在长有石墨烯膜的金属箔基底的两个表面热辊压一层高分子膜，将高分子膜/石墨烯复合膜前段卷缠在辊轴上，用于下一步的卷绕；采用辊压的方式将附有高分子膜的石墨烯层通过气体的辅助从金属箔基底上剥离下来；或者先将高分子膜热辊压到两个辊轴的表面，然后将长有石墨烯膜的金属箔基底热辊压到附有高分子膜的辊轴上，在一定压力和温度的条件下，通过高分子膜与石墨烯的相互作用，采用辊轴卷绕，实现石墨烯层与金属箔基底的分离；

c. 得到转移到高分子膜上的石墨烯复合膜或者单一的石墨烯膜。

2.根据权利要求1的方法，其中所述制备石墨烯膜的制备条件：氢气20sccm，氩气330sccm，1000℃下先预烧30分钟，然后通甲烷2sccm，1000℃下生长60分钟，在通氢气20sccm，氩气330sccm条件下快速降温，生长基底为金属箔，包括铜箔、镍箔、金箔、铂箔，优选铜箔。

3.根据权利要求1的方法，这类高分子膜可根据实际需要选择，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethykenetereohthalate简称PET)膜、聚碳酸酯(Polycarbonate简称PC)膜、聚酰亚胺(Polyimide简称PI)膜、聚氯乙烯(Polyvinyl chloride polymer 简称PVC)膜、聚苯乙烯(Polystyrene 简称PS)膜、聚乙烯(polyethylene简称PE)膜、聚丙烯(Polypropylene 简称PP)膜。

4.根据权利要求1的方法，所通的辅助气体包括空气、氧气、氯化氢（HCl）、氮气、氩气。

5.根据权利要求1的方法，其中所述热辊压的温度为80℃，压力为0.1Mpa。

6.根据权利要求1的方法，转移的CVD石墨烯为不同层数的石墨烯。