[发明专利]芯片装置和用于制造芯片装置的方法

权利要求书

1.一种芯片装置，包括：

载体；

电连接到载体的第一芯片；

设置在载体之上的陶瓷层；以及

设置在陶瓷层之上的第二芯片；

其中所述陶瓷层具有处于从3%到70%的范围内的孔隙率。

2.根据权利要求1所述的芯片装置，

其中所述第一芯片包括功率半导体芯片。

3.根据权利要求2所述的芯片装置，

其中功率半导体芯片包括来自由以下各项构成的组的至少一个功率半导体器件：功率晶体管、功率MOS晶体管、功率双极型晶体管、功率场效应晶体管、功率绝缘栅双极型晶体管、晶闸管、MOS控制晶闸管、可控硅整流器、功率肖特基二极管、碳化硅二极管、氮化镓器件。

4.根据权利要求1所述的芯片装置，

其中所述第二芯片包括半导体逻辑芯片或半导体存储芯片。

5.根据权利要求4所述的芯片装置，

其中所述半导体逻辑芯片包括来自由以下各项构成的组的半导体逻辑器件：专用集成电路、驱动器、控制器和传感器。

6.根据权利要求1所述的芯片装置，

其中第一芯片面经由导电介质电连接到载体。

7.根据权利要求6所述的芯片装置，

其中所述导电介质包括来自下述材料组的至少一种材料，所述组由以下各项构成：焊料、软焊料、扩散焊料、浆料、纳米浆料、粘合剂、导电粘合剂和导热粘合剂。

8.根据权利要求1所述的芯片装置，

其中所述陶瓷层通过粘合剂材料而直接粘附在载体上。

9.根据权利要求1所述的芯片装置，

其中所述陶瓷层包括电绝缘材料和导热材料中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的芯片装置，

其中所述陶瓷层包括一种或多种粒子，所述一种或多种粒子包括来自下述材料组的至少一种材料，所述材料组由以下各项构成：氧化铝、氮化铝、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、二氧化钛、氮化钛、二氧化锆、氮化硼、碳化硼。

11.根据权利要求10所述的芯片装置，

其中所述陶瓷层进一步包括填充材料，所述填充材料包括来自下述材料组的至少一种材料，所述材料组由以下各项构成：有机材料、塑料、环氧树脂、聚酰亚胺、热固料、聚丙烯酸酯、硅树脂和硅石。

12.根据权利要求1所述的芯片装置，

其中所述载体包括导电材料。

13.根据权利要求1所述的芯片装置，

其中所述载体包括引线框，所述引线框包括来自下述材料组的至少一种材料，所述材料组由以下各项构成：铜、镍、铁、银、金、钯、磷、铜合金、镍合金、铁合金、银合金、金合金、钯合金、磷合金。

14.根据权利要求1所述的芯片装置，进一步包括：

设置在载体之上的密封材料，其中所述密封材料至少部分地包围第一芯片和第二芯片、以及载体的一个或多个侧面。

15.根据权利要求1所述的芯片装置，进一步包括：

在陶瓷层之上和之下中的至少一个形成的至少一个导电层。

16.根据权利要求1所述的芯片装置，

其中所述至少一个导电层包括来自下述材料组的至少一种材料，所述材料组由以下各项构成：锡、铅、银、铜、镍、钯、锌、铝、金、锑、无机元素和有机元素。

17.一种用于制造芯片装置的方法，所述方法包括：

将第一芯片电连接到载体；

在载体之上设置具有处于从3%到70%的范围内的孔隙率的陶瓷层；以及

在陶瓷层之上设置第二芯片。

18.根据权利要求17所述的方法，包括：

通过粘合剂材料将陶瓷层直接粘附在载体上。

19.根据权利要求17所述的方法，

其中所述陶瓷层包括电绝缘材料和导热材料中的至少一种。