[发明专利]功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法

权利要求书

1.功率半导体模块，其具有基板(2)和布置在所述基板(2)上且与所述基板(2)连接的功率半导体结构元件(13)，其中，所述功率半导体模块(1)具有一体式构造的导电的连接装置(9)，其中，所述连接装置(9)具有扁平的第一联接区域(19)和扁平的第二联接区域(20)以及布置在所述第一联接区域(19)与所述第二联接区域(20)之间的弹性区域(15)，其中，所述弹性区域(15)具有呈条状的第一和第二成型元件(17、18)，所述成型元件彼此具有反向的弯折部且交替地布置，其中，所述第一联接区域(19)与所述基板(2)连接，所述连接装置(9)将所述基板(2)与导电的负载电流引导元件(10)导电地连接，其中，所述第二联接区域(20)与所述负载电流引导元件(10)连接。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第一联接区域(19)的引导电流的线路横截面和所述第二联接区域(20)的引导电流的线路横截面关于所述弹性区域(15)的引导电流的线路横截面偏差所述弹性区域(15)的引导电流的线路横截面的最大±20％。

3.根据前述权利要求之一所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第一联接区域(19)具有与所述基板(2)连接的部段(19')，所述部段平行于所述基板(2)延伸。

4.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第二联接区域(20)的至少一部分从所述基板(2)延伸出去。

5.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块，其特征在于，在所述功率半导体结构元件(13)与所述基板(2)之间的和/或在所述连接装置(9)的第一联接区域(19)与所述基板(2)之间的连接分别实现为材料锁合的或力锁合的连接。

6.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块，其特征在于，所述基板(2)在其背离所述功率半导体结构元件(13)的侧上与金属成型体(7)连接。

7.根据权利要求6所述的功率半导体模块，其特征在于，所述金属成型体(7)构造为用于将所述基板(2)热连接到冷却体上的金属板，或构造为冷却体。

8.根据权利要求6所述的功率半导体模块，其特征在于，在基板(2)与金属成型体(7)之间的连接实现为材料锁合的或力锁合的连接。

9.一种用于制造功率半导体模块的方法，具有下述方法步骤：

a)提供基板(2)和金属板材元件(9')，其中，所述金属板材元件(9')具有扁平的第一联接区域(19)和扁平的第二联接区域(20)，并且具有布置在所述第一联接区域(19)与第二联接区域(20)之间的连接区域(15')，

b)将所述第一联接区域(19)与所述基板(2)材料锁合地连接，其中，所述金属板材元件(9')平行于所述基板(2)延伸，

c)将所述金属板材元件(9')的未与所述基板(2)连接的部分从所述基板(2)卷起，

d)在所述连接区域(15')中对所述金属板材元件(9')进行切割，从而构造出交替布置的呈条状的第一和第二成型元件(17、18)，并且将所述第一和第二成型元件(17、18)反向弯折，

e)将导电的负载电流引导元件(10)与连接装置(9)的所述第二联接区域(20)连接。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述连接区域(15')中对所述金属板材元件(9')进行切割，从而构造出交替布置的呈条状的第一和第二成型元件(17、18)以及在共同的工作步骤中借助组合切割弯曲刀具进行所述第一和第二成型元件(17、18)的反向弯折。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述第一联接区域(19)与所述基板(2)的材料锁合连接和功率半导体结构元件(13)与所述基板(2)的材料锁合连接在共同的工作步骤中执行，和/或所述第一联接区域(19)与所述基板(2)的材料锁合连接和所述基板(2)的背离所述功率半导体结构元件(13)的侧与金属成型体(7)的材料锁合连接在共同的工作步骤中执行，其中，各材料锁合连接以烧结连接的形式存在。

12.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，方法步骤d)在方法步骤c)之前执行。