[发明专利]一种纳米棒单层自组装的制备方法

权利要求书

1.一种制备CdSe@CdS纳米棒单层自组装的方法，其特征在于它通过下述步骤实现： 

一、采用种子生长法合成制备特定尺寸的CdSe@CdS纳米棒，并分散在甲苯溶剂中；二、经甲醇和离心清洗处理后，将CdSe@CdS纳米棒在甲苯溶剂中充分分散，避免团聚，形成一定浓度CdSe@CdS纳米棒的分散溶液；三、通过滴涂的方法将一定容量的CdSe@CdS纳米棒的分散溶液涂到固体衬底上，实现CdSe@CdS纳米棒薄膜的沉积；四、通过调控退火的温度和时间，实现可控的纳米棒阵列自组装到固体衬底上。 

2.根据权利要求1所述的CdSe@CdS纳米棒单层自组装的制备方法，其特征在于在步骤一中，所述的CdSe@CdS纳米棒的直径为～5纳米、长度为～50纳米，在甲苯溶剂中呈良好的单分散装态。 

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在步骤二中，所述的CdSe@CdS纳米棒的离心清洗次数为3次，每次清洗5分钟，以去除残余的TOPO。 

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在步骤二中，所述的CdSe@CdS纳米棒分散溶液的浓度为0.01μM。 

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在步骤三中，所述的CdSe@CdS纳米棒的容量为0.5μl。 

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在步骤四中，所述的退火环境是在氮气气氛和温度200℃的条件下退火0.5小时。 

7.根据权利要求1所述的CdSe@CdS纳米棒单层自组装的制备方法，其特征在于所述的固体衬底是透射电子显微镜观测用的400目包敷碳膜的铜网。 

8.根据权利要求1所述的CdSe@CdS纳米棒单层自组装的制备方法，其特征在于所述的自组装方法是指通过CdSe@CdS纳米棒表面所包覆的表面有机分子在这退火过程中去除，从而实现了CdSe@CdS纳米棒在碳膜基底上的自组装。 

9.根据权利要求1所述的CdSe@CdS纳米棒单层自组装的制备方法，其特征在于所述的纳米棒材料还可以是用种子生长法合成制备的CdS、CdSe。