[发明专利]一种整合式微机电元件及其制造方法

权利要求书

1.一种整合式微机电元件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)提供一元件晶圆，于该元件晶圆上依序形成图案化的一第一牺牲层、与一第一结构层；

(b)提供一电路晶圆，该电路晶圆上至少具有一图案化的第一结合层；

(c)将该元件晶圆与该电路晶圆相对接合，以使该第一结合层与该第一结构层相接；

(d)图案化该元件晶圆，以形成图案化的一第二结构层，并露出部分的该第一牺牲层；及

(e)移除该第一牺牲层。

2.如权利要求1所述的整合式微机电元件的制造方法，其特征在于，于(a)步骤中，于该第一结构层上还形成有一图案化的第二结合层，并于(c)步骤中将该第一结合层与该第二结合层相接合。

3.如权利要求2所述的整合式微机电元件的制造方法，其特征在于，于形成第二结合层前，先形成一第二牺牲层于该元件晶圆上，以覆盖元件晶圆表面；

而且，于(e)步骤后还包括以下的步骤：移除该第二牺牲层。

4.如权利要求1或2所述的整合式微机电元件的制造方法，其特征在于，该电路晶圆上并覆盖有一保护层，该保护层至少覆盖住该第一结合层的一待接合区之外的区域。

5.如权利要求1或2所述的整合式微机电元件的制造方法，其特征在于，于(d)步骤前还包括以下步骤：从该元件晶圆背面将该元件晶圆移除一定的厚度。

6.如权利要求5所述的整合式微机电元件的制造方法，其特征在于，该元件晶圆包括：一硅元件层、一绝缘层、与一硅底材，该第一表面是位于该硅元件层上，该第二表面则是位于该硅底材上；而且将该元件晶圆移除一定厚度的制程包括以下的步骤：

借由研磨或蚀刻的方式移除该硅底材；及

移除该绝缘层。

7.如权利要求3所述的整合式微机电元件的制造方法，其特征在于，该第二牺牲层的材质为铜或铬。

8.如权利要求1或2所述的整合式微机电元件的制造方法，其特征在于，该第二结合层与第一结合层是由可接合的导电材质所构成。

9.如权利要求1或2所述的整合式微机电元件的制造方法，其特征在于，该第一结构层的材质主要为多晶硅、单晶硅、或非晶硅，该第二结构层的材质主要为单晶硅。

10.如权利要求1或2所述的整合式微机电元件的制造方法，其特征在于，于该第一结构层或该第二结构层中至少形成一压阻传感单元。

11.如权利要求1或2所述的整合式微机电元件的制造方法，其特征在于，于(d)步骤完成后，该元件晶圆与该电路晶圆间形成有多个气密空间。

12.如权利要求11所述的整合式微机电元件的制造方法，其特征在于，该气密空间是呈真空状态。

13.一种整合式微机电元件，其特征在于，包括：

一电路芯片，于该电路芯片上设置有一图案化的第一结合层，该第一结合层是由导电材质所构成；及

一元件芯片，包括一第一结构层、与一第二结构层，该第一结构层与该电路芯片之第一结合层相连接且位于该第二结构层与该电路芯片间；

其中，于该第二结构层与该电路芯片间形成有多个气密空间，该气密空间是由该第一结构层、该第二结构层、该第一结合层、与该电路芯片所围绕而成。

14.如权利要求13所述的整合式微机电元件，其特征在于，该第一结构层与该第一结合层之间还包括一第二结合层，这些第二结合层是由可接合之导电材质所构成。

15.如权利要求14所述的整合式微机电元件，其特征在于，该第二结合层与该第一结构层第一结合层之间还包括一第二牺牲层，这些第二牺牲层是由导电材质所构成。

16.如权利要求13或14所述的整合式微机电元件，其特征在于，该第一结构层为可挠性结构。

17.如权利要求13或14所述整合式微机电元件，其特征在于，该第一结构层的材质主要为多晶硅、单晶硅、或非晶硅，该第二结构层的材质主要为单晶硅。

18.如权利要求13或14所述微机电结构，其特征在于，该气密空间是呈真空状态。

19.如权利要求13或14所述的整合式微机电结构，其特征在于，于该第一结构层或该第二结构层中至少形成一压阻传感单元。