[发明专利]钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种钙钛矿基薄膜太阳电池，包括：

钙钛矿结构的有机金属半导体吸光层；

在所述有机金属半导体吸光层上形成的电子阻挡层，所述电子阻挡层由有机电子阻挡材料形成；以及

在所述电子阻挡层上形成的金属对电极。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，

所述电子阻挡层由TPB和α-NPD中的一种或两种材料形成。

3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，

所述电子阻挡层的厚度为10-150nm；优选地，所述电子阻挡层的厚度为50-100nm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，

所述有机金属半导体吸光层由有机金属半导体吸光材料形成；

有机金属半导体吸光材料选自化学通式为(CH₃NH₃)PbX_mY_n中的一种或多种材料，其中X，Y=Cl，Br，I；m=1，2，3；n=3-m。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，

所述金属对电极由金或银形成。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，还包括：

衬底；

在所述衬底上形成的导电层；

在所述导电层上形成的且为半导体材料的致密层；

在所述致密层上形成的支架层；其中，

所述钙钛矿结构的有机金属半导体吸光层填充在在所述支架层内。

7.一种制备权利要求1-6中任一项所述的钙钛矿基薄膜太阳电池的方法，包括：

将所述有机电子阻挡材料均匀分散于有机溶剂中，以形成透明均匀的溶液；

将所述溶液通过旋涂法、提拉法或丝网印刷法在所述有机金属半导体吸光层的表面上形成一薄膜层；

将所述薄膜层进行干燥，以形成所述电子阻挡层；

在所述电子阻挡层上形成金属对电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述溶液中的所述有机电子阻挡材料的浓度为1-6%；优选地，所述浓度为2%。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，

所述有机溶剂包括苯、甲苯、1,2-二甲苯、1,3-二甲苯、1,4-二甲苯、氯苯、1,2-二氯苯、1,3-二氯苯、1,4-二氯苯中的一种或多种，优选为氯苯。