[发明专利]一种铟表面处理的方法有效

申请号：	201410021010.3	申请日：	2014-01-17
公开（公告）号：	CN103762274A	公开（公告）日：	2014-04-30
发明（设计）人：	黄玥;林春;叶振华;廖清君;丁瑞军	申请（专利权）人：	中国科学院上海技术物理研究所
主分类号：	H01L31/18	分类号：	H01L31/18
代理公司：	上海新天专利代理有限公司 31213	代理人：	郭英
地址：	200083 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种表面处理方法
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【权利要求书】：

1.一种去除铟表面氧化层的方法，其特征在于包括以下步骤：

1）.对等离子体设备的反应腔体进行O₂、O₂和SF₆的两步清洗；

2）.将待处理的含铟柱或铟球的样品放于等离子体设备中，待设备真空合格后进行传片；用流量比为0.5～1：0.5～1：0.5～1：1～1.6的CH₄、H₂、Ar和SF₆混合气体等离子体对样品进行，处理处理功率小于75W。

2.根据权利要求1所述的一种去除铟表面氧化层的方法，其特征在于：步骤2）中所述的混合气体中的Ar用N₂代替，SF₆用CF₄替代。

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