[发明专利]一种基于RRAM的新型神经网络电路有效
| 申请号： | 201410021568.1 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103778468A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;龙云;毕颖杰;高滨;陈冰;刘晓彦;刘力锋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 rram 新型 神经网络 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于RRAM的神经网络电路，其特征在于，包括：若干个传感器、若干个第一层神经元支路和若干个第二层神经元支路；
每个第一层神经元支路包括：若干个第一RRAM以及第一层神经元；
所述传感器用于将像素点的颜色转换为电压信号，并将此电压信号传输给所述第一RRAM；所述第一RRAM根据接收到的电压信号产生电流信号，并传输至所述第一层神经元；所述第一层神经元用于对接收到的电流信号进行求和，若第一神经元被激活，则发射电压脉冲至所述第二RRAM；
每个第二层神经元支路包括：若干个第二RRAM以及第二层神经元；
所述第二RRAM器件将所述第一层神经元与所述第二层神经元连接起来；所述第二层神经元用于汇总若干个所述第一层神经元激活后产生的电流信号。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，
一个传感器对应于一个像素点，同时一个传感器对应于一个RRAM器件。
3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，
所述第一RRAM的阻值与接收到传感器的电压信号的大小呈反比。
4.如权利要求1所述的电路，其特征在于，
所述第一层神经元，包括：CMOS神经元、反馈电路。
5.如权利要求6所述的电路，其特征在于，
所述反馈电路用于改变所述第一层神经元对应的第一RRAM的阻值。
6.如权利要求1所述的电路，其特征在于，
所述第二层神经元为CMOS神经元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410021568.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
