[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，

具备对包含硅的部件进行干法刻蚀的工序，

上述干法刻蚀在第一压力范围或第二压力范围中实施，该第一压力范围为，将饱和压力乘以0.85后得到的压力以上的范围，该饱和压力为即使增加压力刻蚀速率也不继续增加的压力，该第二压力范围为，实现将压力设为上述饱和压力时的刻蚀速率的一半的刻蚀速率的压力以下的范围。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

上述第一压力范围设为将上述饱和压力乘以1.15后得到的压力以下。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，

使用氧以及四氟化碳中的至少一方来作为上述干法刻蚀的刻蚀气体。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，

上述干法刻蚀是化学干法刻蚀或反应离子刻蚀。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，

还具备如下工序：

在硅晶片的上表面形成沟槽的工序；

在上述沟槽的内面上形成硅氧化膜的工序；以及

通过堆积硅而在上述沟槽内埋入上述部件的工序。