[发明专利]电流测量装置和用于运行电流测量装置的方法有效
申请号: | 201410022636.6 | 申请日: | 2014-01-17 |
公开(公告)号: | CN103941070B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 亚历山大·米尔赫费尔 | 申请(专利权)人: | 赛米控电子股份有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 邹璐;安翔 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 测量 装置 用于 运行 方法 | ||
1.一种电流测量装置,包括:
-补偿变流器(2),所述补偿变流器具有可导磁的芯(3)、至少一个环绕所述芯(3)的补偿绕组(L2)、调节装置(5)和由所述调节装置(5)驱控的功率单元(6),其中,要测量的电流(Im)导致延伸穿过所述芯(3)的测量磁流,其中,所述功率单元(6)产生流过所述至少一个补偿绕组(L2)的补偿电流(Ik),其中,所述调节装置(5)驱控所述功率单元(6),使得在所述补偿电流(Ik)流过时由所述至少一个补偿绕组(L2)产生的延伸穿过所述芯(3)的补偿磁流正好与所述测量磁流一样大,但以与所述测量磁流相反的方向延伸穿过所述芯(3),
-电压产生装置(R1),所述电压产生装置用于产生与所述补偿电流(Ik)的强度至少近似地对应的第一电压(U1),以及
-补偿电流减小装置(7),所述补偿电流减小装置用于将所述第一电压(U1)与参考电压(Uref)作比较,并且如果所述第一电压(U1)超过所述参考电压(Uref),那么就作用于所述功率单元(6),使所述补偿电流(Ik)的强度减小,但并不使所述补偿电流(Ik)断开。
2.根据权利要求1所述的电流测量装置,其特征在于,所述补偿电流减小装置(7)用于将所述第一电压(U1)与参考电压(Uref)作比较,并且如果所述第一电压(U1)超过所述参考电压(Uref),就作用于所述功率单元(6),使所述补偿电流(Ik)的强度减小到使所述第一电压(U1)与所述参考电压(Uref)相对应的值。
3.根据权利要求1或2所述的电流测量装置,其特征在于,所述功率单元(6)具有电连接成H电桥的半导体开关(T1、T2、T3、T4),其中,所述至少一个补偿绕组(L2)以电方式布置在所述H电桥的横向支路中。
4.根据权利要求3所述的电流测量装置,其特征在于,所述功率单元(6)的电连接成H电桥的半导体开关(T1、T2、T3、T4)由所述调节装置(5)以脉宽调制的方式驱控。
5.根据权利要求1或2所述的电流测量装置,其特征在于,所述电压产生装置(R1)构造为电阻,所述补偿电流(Ik)至少近似地流过所述电阻。
6.根据权利要求5所述的电流测量装置,其特征在于,电容器(C1)与所述电阻(R1)电并联。
7.根据权利要求3所述的电流测量装置,其特征在于,所述补偿电流减小装置(7)具有差分放大器(23)和调整环节(24),其中,所述差分放大器(23)用于将所述第一电压(U1)与所述参考电压(Uref)作比较,并且如果所述第一电压(U1)超过所述参考电压(Uref),那么就作用于所述调整环节(24),使得所述调整环节(24)减小以电方式布置在所述H电桥的上部支路中的半导体开关(T3、T4)的控制电压和/或以电方式布置在所述H电桥的下部支路中的半导体开关(T1、T2)的控制电压。
8.一种功率半导体模块,所述功率半导体模块具有基板(19),在所述基板上布置有功率半导体开关(14),其中,所述功率半导体模块(9)具有驱动器(22)以及根据权利要求1至7之一所述的电流测量装置(1),所述驱动器用于驱控所述功率半导体开关(14),其中,所述功率半导体模块(9)具有供电装置(8),所述供电装置用于为所述驱动器(22)和所述电流测量装置(1)供电。
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