[发明专利]半导体晶片封装体及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种封装体及其制造方法，特别是有关于一种半导体晶片封装体及其制造方法。

背景技术

近年来，集成电路元件均已广泛地应用于例如数字相机(digital camera)、数字摄录象机(digital video recorder))和手机(mobile phone)等的消费电子元件和携带型电子元件中。随着上述各种电子元件及携带式电子元件愈来愈普及与轻巧化，使得应用于其中的半导体晶片封装体的尺寸也愈来愈缩小，也因为各种类型的集成电路制程的微小化以及多功能性整合晶片的趋势发展，使半导体晶片封装体内部各元件彼此连结的密度愈来愈高，走线之间越来越紧密，彼此的耦合现象也越趋严重，使得信号在传输时经常会有电磁干扰的问题，是故接地贯孔(ground via)的设置是当前半导体晶片封装为解决上述问题所经常采用的手段之一，然而目前接地贯孔(ground via)的制作多以另开光罩，以其独立的微影蚀刻制程方式制作，使整体半导体晶片封装体的制作成本提高。

发明内容

本发明的一态样是提供半导体晶片封装体，具有较小的半导体晶片封装体尺寸且接地贯孔的制作无须以独立的微影蚀刻制程制作，具有更低的制造成本。

本发明一实施例提供一种半导体晶片封装体，该半导体晶片封装体包含半导体晶片、多个孔洞、绝缘层、导电层、以及封装层。半导体晶片具有上表面及下表面，且具有设置于上表面的至少一感应元件、以及电性连接于感应元件的至少一连接垫结构。连接垫结构自半导体晶片的上表面朝下表面延伸。孔洞自半导体晶片的下表面朝上表面延伸，包含至少一个第一孔洞以及至少一个第二孔洞。第一孔洞接触连接垫结构且露出连接垫结构的一部分。第二孔洞不接触该连接垫结构。绝缘层自半导体晶片的下表面朝上表面延伸，部分的绝缘层位于孔洞之中。其中，绝缘层覆盖各第一孔洞的全部孔壁但仅覆盖各第二孔洞的一部分孔壁。导电层位于绝缘层下且自半导体晶片的下表面朝上表面延伸，部分的导电层位于孔洞之中。其中，位于第一孔洞内的导电层通过连接垫结构电性连接感应元件。封装层形成于导电层之下。

在本发明的一实施方式中，第一孔洞以及第二孔洞自半导体晶片的下表面朝上表面延伸的深度约略相同。

在本发明的一实施方式中，第二孔洞具有不大于15微米的孔径。

在本发明的一实施方式中，感应元件是感光元件。

在本发明的一实施方式中，感光元件的受光表面至封装层的底表面的最短距离不大于100微米。

在本发明的一实施方式中，进一步包含至少一焊球，该焊球设置于半导体晶片封装体的下表面之下，且电性连接导电层。

在本发明的一实施方式中，焊球具有不大于50微米的球径。

本发明的另一态样是提供半导体晶片封装体的制造方法，包含：提供基底，基底定义有多个半导体晶片区，半导体晶片区分别形成至少一半导体晶片，半导体晶片具有上表面及下表面，每一半导体晶片形成有设置于上表面的感应元件以及电性连接感应元件的连接垫结构，且基底上具有设置于各半导体晶片的上表面以及感应元件之上的第一粘着层、以及设置于第一粘着层之上的承载基板；于半导体晶片中形成多个孔洞，所述孔洞自半导体晶片的下表面朝上表面延伸，且包含至少一个第一孔洞以及至少一个第二孔洞，第一孔洞接触连接垫结构且露出连接垫结构的一部分，第二孔洞不接触连接垫结构；于各半导体晶片的下表面下形成绝缘层，绝缘层自各半导体晶片的下表面朝上表面延伸，部分的绝缘层位于孔洞之中，其中绝缘层完整覆盖第一孔洞的孔壁且绝缘层仅部分覆盖第二孔洞的孔壁；以及于绝缘层下形成导电层，该导电层自各半导体晶片的下表面朝上表面延伸，部分的导电层位于孔洞之中。其中位于第一孔洞内的导电层通过连接垫结构电性连接感应元件。

在本发明的一实施方式中，于形成导电层的步骤后，进一步包含沿各半导体晶片区之间的多条交界线由各半导体晶片的下表面朝上表面预切割，使各半导体晶片之间具有多条切割道；于各半导体晶片的导电层之下形成封装层；于各半导体晶片的封装层之下形成至少一焊球，该焊球且电性连接导电层；以及沿各切割道切割，移除沿各该切割道的部分的第一粘着层，使各半导体晶片分离，但各半导体晶片仍通过位于各半导体晶片上的第一粘着层附着于承载基板之下。

在本发明的一实施方式中，于沿各切割道切割的步骤后，进一步包含贴附薄膜框载体以连接各半导体晶片的各焊球，并移除位于各半导体晶片上的承载基板，以形成半导体晶片封装体。

在本发明的一实施方式中，第一孔洞以及第二孔洞于同一制程步骤中同时形成。