[发明专利]一种芯片的集成方法在审
| 申请号： | 201410023146.8 | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN104795354A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 李新;戚德奎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 集成 方法 | ||
1.一种芯片的集成方法，其特征在于，所述芯片的集成方法至少包括以下步骤：
S1：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底正面制作有源器件；
S2：接着在所述半导体衬底正面制作若干深入所述半导体衬底中的TSV导电柱，所述TSV导电柱未穿透所述半导体衬底；
S3：采用金属互连工艺在所述半导体衬底正面形成正面金属互连层；
S4：将所述半导体衬底背面减薄直至露出所述TSV导电柱；
S5：在所述半导体衬底背面形成无源器件，所述无源器件通过所述TSV导电柱及所述正面金属互连层与所述有源器件连接。
2.根据权利要求1所述的芯片的集成方法，其特征在于：于所述步骤S5中在所述半导体衬底背面形成无源器件之前首先在所述半导体衬底背面形成一绝缘层，所述绝缘层未覆盖所述TSV导电柱，然后再在所述绝缘层上形成所述无源器件。
3.根据权利要求2所述的芯片的集成方法，其特征在于：所述绝缘层的材料为聚酰亚胺。
4.根据权利要求1所述的芯片的集成方法，其特征在于：于所述步骤S5中在所述半导体衬底背面形成无源器件后，继续在所述半导体衬底背面形成背面金属互连层。
5.根据权利要求4所述的芯片的集成方法，其特征在于：形成所述背面金属互连层后，接着在所述背面金属互连层上形成钝化层。
6.根据权利要求1所述的芯片的集成方法，其特征在于：于所述步骤S4中减薄半导体衬底背面及所述步骤S5中在所述半导体衬底背面形成无源器件时，所述半导体衬底正面固定于一负载基板上。
7.根据权利要求1所述的芯片的集成方法，其特征在于：所述无源器件包括电容、电感及电阻中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的芯片的集成方法，其特征在于：所述有源器件包括晶体三极管、场效应管及晶闸管中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的芯片的集成方法，其特征在于：所述TSV导电柱的材料包括Cu。
10.根据权利要求1所述的芯片的集成方法，其特征在于：所述TSV导电柱与所述半导体衬底之间依次形成有扩散阻挡层及介质层。
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