[发明专利]一种半导体材料过滤位错的方法在审
| 申请号： | 201410023924.3 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103794472A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 宋禹忻;王庶民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 过滤 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体材料过滤位错的方法，其特征在于：
提供第一晶体层，在所述第一晶体层上依次外延生长内嵌有金属颗粒的过滤层和器件层，利用嵌入在半导体材料内部的金属颗粒过滤位错。
2.根据权利要求1所述的一种半导体材料过滤位错的方法，其特征在于：所述第一晶体层、过滤层和器件层为C、Si、Ge、Sn二元及多元半导体、氧化物中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的一种半导体材料过滤位错的方法，其特征在于：所述第一晶体层、过滤层和器件层为单层或多层结构。
4.根据权利要求1所述的一种半导体材料过滤位错的方法，其特征在于：所述金属颗粒为单一金属元素或者多种金属的合金。
5.根据权利要求1所述的一种半导体材料过滤位错的方法，其特征在于：所述金属颗粒在生长时为液态或固态。
6.根据权利要求1所述的一种半导体材料过滤位错的方法，其特征在于：采用分子束外延、金属有机化学气相外延技术、液相外延或热壁外延形成所述第一晶体层、过滤层和器件层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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