[发明专利]电子发射源

权利要求书

1.一种电子发射源，其包括：依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其特征在于，还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层，且所述电子收集层包括一碳纳米管层，该碳纳米管层具有多个空隙，该多个空隙从所述碳纳米管层的厚度方向贯穿所述碳纳米管层。

2.如权利要求1所述的电子发射源，其特征在于，所述电子收集层的厚度为10纳米～1微米。

3.如权利要求1所述的电子发射源，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管，所述多个碳纳米管通过范德华力相互连接形成一自支撑结构。

4.如权利要求1所述的电子发射源，其特征在于，所述碳纳米管层包括碳纳米管膜、碳纳米管线或两者组合。

5.如权利要求4所述的电子发射源，其特征在于，所述碳纳米管层包括一单层碳纳米管膜或多个层叠设置的碳纳米管膜。

6.如权利要求4所述的电子发射源，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个平行设置的碳纳米管线、多个交叉设置的碳纳米管线或多个碳纳米管线任意排列组成的网状结构。

7.如权利要求1所述的电子发射源，其特征在于，所述第一电极包括一碳纳米管层。

8.如权利要求7所述的电子发射源，其特征在于，所述第一电极所包括的碳纳米管层包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管相互连接形成一导电网络。

9.如权利要求7所述的电子发射源，其特征在于，所述第一电极所包括的碳纳米管层包括多个空隙，其多个空隙从碳纳米管层的厚度方向贯穿碳纳米管层。

10.如权利要求1所述的电子发射源，其特征在于，所述第一电极包括一石墨烯膜，所述石墨烯膜包括至少一石墨烯。

11.如权利要求1所述的电子发射源，其特征在于，还包括设置于第一电极表面的两个间隔且相对的汇流电极。