[发明专利]一种植入式卡夫神经电极及其制作方法

权利要求书

1.一种植入式卡夫神经电极，其特征为，所述植入式卡夫神经电极，包括：基于微加工技术的带有电极点（1）和自锁结构的长条状带子（2）、连接引线（3）和引线接点区域（4）；所述电极点（1）分布于所述长条状带子（2）中部靠近封闭环（5）附近；所述长条状带子（2）的一端为开口呈细长状矩形的扁平封闭环（5）；所述扁平封闭环开口（11）呈细长条状，能使长条状带子（2）平整的从其中通过；所述长条状带子（2）另一端装有一个辅助电极安装的引导舌头（6）；所述长条状带子（2）两侧有着连续的微突起物（7）。

2.根据权利要求1所述一种植入式卡夫神经电极，其特征为，所述长条状带子（2）由具有生物兼容性的聚合物薄膜材料制成。

3.根据权利要求1所述一种植入式卡夫神经电极，其特征为，所述自锁结构包括所述封闭环（5）和所述微突起物（7），当长条状带子（2）两侧的微突起物（7）通过封闭环（5）后，封闭环（5）卡住微突起物（7）；所述长条状带子（2）将被封闭环的自锁结构单向锁定，不能向回倒退，所述长条状带子（2）将构成圆筒状结构；所述圆筒直径通过继续拉动带子调节。

4.根据权利要求1所述一种植入式卡夫神经电极，其特征为，所述连接引线（3）将所述电极点（1）连接至所述引线接点区域（4）；每一个电极点（1）通过独立的互连线（9）连接至引线接点（10）。

5.根据权利要求1－4项任一项所述一种植入式卡夫神经电极，其特征为，所述长条状带子（2）尺寸参数优选为：长15mm、宽8mm、厚度15μm；所述封闭环（5）的尺寸参数优选为：开口长8mm、宽50μm；所述微突起物（7）突出部分尺寸参数优选为：长100μm；所述电极点（1）尺寸参数优选为：大小300μm×300μm。

6.一种制作如权1所述的植入式卡夫神经电极的方法，所述制作方法包括以下步骤：

（1）在镀有牺牲层的基片上通过聚合物薄膜材料淀积、光刻、蒸发、溅射和湿法腐蚀制作聚合物-金属合金-聚合物结构的金属电极层，包括电极点（1）、互连线（9）和引线接点（10）；

（2）通过光刻、电镀制作金属机械支撑层，或通过聚合物薄膜材料生长、光刻和干法刻蚀制作聚合物机械支撑层，所述机械支撑层包括微突起物（7）和封闭环（5）；

（3）制作用于刻蚀聚合物的掩膜，确定电极点（1）和引线接点（10）的位置和大小，确定封闭环开口（11）的大小和位置，确定长条状带子（2）、连接引线（3）和引线接点区域（1）的轮廓；

（4）通过干法刻蚀聚合物层直到暴露出所述牺牲层来暴露出电极点（1）和引线接点（10）；制作出封闭环开口（11），制作出长条状带子（2）、连接引线（3）和引线接点区域（4）的轮廓；

（5）去除牺牲层，得到卡夫神经电极。

7.根据权利要求6所述一种植入式卡夫神经电极的制作方法，其特征为，所述步骤（1）中的基片为硅片（12）；在所述硅片（12）上蒸发或溅射铝膜制作铝膜牺牲层；在所述铝膜牺牲层上淀积聚合物作为隔离绝缘层；制作卡夫神经电极的电极点（1）、互连线（9）和引线接点（10），并在其上淀积聚合物隔离绝缘层，形成聚合物-金属合金-聚合物的电极层。

8.根据权利要求7所述一种植入式卡夫神经电极的制作方法，其特征为，所述淀积聚合物作为隔离绝缘层为通过化学气相淀积生长聚对二甲苯薄膜层（14）作为隔离绝缘层；所述卡夫神经电极的电极点（1）、互连线（9）和引线接点（10）的制作方法：蒸发或溅射金属合金层并进行光刻，湿法腐蚀出电极点、互连线和引线接点图形；或者先进行光刻而后溅射金属合金层，采用剥离工艺制作出金属电极图形。

9.根据权利要求6所述一种植入式卡夫神经电极的制作方法，其特征为，所述金属机械支撑层的制作方法：通过溅射铜种子层、旋涂厚胶并光刻形成电镀掩膜（17），电镀具有生物兼容性的金或其他金属;所述聚合物机械支撑层的优选制作方法：通过聚合物薄膜层生长及用于刻蚀聚合物薄膜层的掩膜制作和干法刻蚀，来制作聚合物机械支撑层；所述聚合物机械支撑层为聚对二甲苯制成；所述刻蚀掩膜（17）的制作方法：采用旋涂正性光刻胶并光刻形成刻蚀掩膜，或通过物理汽相淀积、光刻、干法刻蚀和湿法腐蚀制作图形化的钛膜或铝膜，形成刻蚀掩膜。

10.根据权利要求6所述一种植入式卡夫神经电极的制作方法，其特征为，所述步骤（3）中，确定封闭环开口（11）的大小和位置，所述大小和位置与所述步骤（2）中制作的封闭环的开口相同；所述步骤（3）中，确定长条状带子（2）的轮廓，所述轮廓包括所述步骤（2）中制作的微突起物（7）的轮廓。