[发明专利]非易失性存储器件、存储系统及其外部电源控制方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件的外部电源控制方法，该非易失性存储器件包括内部电路，该内部电路容有存储单元阵列，该方法包括：

根据第一外部电压的下降，确定是否向第一节点施加第二外部电压，所述确定是否向第一节点施加第二外部电压的步骤包括，

当第一外部电压下降时，生成检测信号；

响应于检测信号，不向第一节点施加第二外部电压；以及

当第一外部电压正常时，向第一节点施加第二外部电压，

当向第一节点施加第二外部电压时，根据第二外部电压的下降来生成标志信号；

响应于标志信号选择性地从第二节点断开第一节点，第二节点电连接至该内部电路；以及

响应于标志信号，使连接至第二节点的该内部电路的至少一个电压放电。

2.如权利要求1所述的外部电源控制方法，其中第二外部电压高于第一外部电压。

3.如权利要求2所述的外部电源控制方法，进一步包括：

当第一外部电压下降而向非易失性存储器件施加第二外部电压时，保护该内部电路使得不向该内部电路施加第二外部电压。

4.如权利要求1所述的外部电源控制方法，其中生成标志信号的步骤包括：

划分第二外部电压；

比较划分的电压和参考电压；以及

当划分的电压低于参考电压时生成标志信号。

5.如权利要求4所述的外部电源控制方法，其中使用第一外部电压来生成参考电压。

6.如权利要求1所述的外部电源控制方法，进一步包括：

响应于标志信号而终止非易失性存储器件的当前模式；以及

启动非易失性存储器件的备用模式。

7.如权利要求1所述的外部电源控制方法，进一步包括：

响应于标志信号，输出指示非易失性存储器件没有接收到命令的信息，并且其中所述至少一个电压包括字线和位线的电压。

8.一种非易失性存储器件，包括：

具有多个存储块的存储单元阵列；

外部电源控制逻辑，被配置为，

接收第一和第二外部电压，向该非易失性存储器件的电压生成电路施加第一外部电压，

检测第一和第二外部电压的电压下降，并且

根据第一外部电压的下降确定是否向电压生成电路施加第二外部电压，当向电压生成电路施加第二外部电压时，根据第二外部电压的下降生成标志信号，第二外部电压高于第一外部电压；

电压生成电路，被配置为基于通过外部电源控制逻辑提供的第一和第二外部电压来生成驱动存储单元阵列的驱动电压，其中，如果外部电源控制逻辑没有检测到第一外部电压和第二外部电压之一中的电压减少则选择性地接收第二外部电压，并且使用第一外部电压和第二外部电压来生成驱动存储单元阵列的驱动电压；

地址译码器，被配置为响应于地址而选择存储块之一，并且向所选择的块提供驱动电压；

输入/输出电路，被配置为临时存储要被编程到所选择的存储块的存储单元的数据或者从所选择的存储块的存储单元读取的数据；以及

控制逻辑，被配置为控制电压生成电路、地址译码器和输入/输出电路，其中外部电源控制逻辑包括：

第一外部电压检测器，被配置为基于通过第一外部电压焊盘施加的第一外部电压是否下降来生成检测信号；以及

第二外部电压检测器，被配置为，

响应于检测信号，向电压生成电路提供通过第二外部电压焊盘施加的第二外部电压，以及

根据第二外部电压是否下降来生成标志信号。

9.如权利要求8所述的非易失性存储器件，其中第一外部电压检测器包括：

具有连接至第二外部电压焊盘的漏极和连接至发送检测信号的输出端的栅级的耗尽型晶体管；

具有连接至所述耗尽型晶体管的源极的漏极、连接至所述输出端的源极以及连接至第一外部电压焊盘的栅极的PMOS晶体管；以及

具有连接至所述输出端的源极、接地的漏极以及连接至第一外部电压焊盘的栅极的NMOS晶体管。

10.如权利要求8所述的非易失性存储器件，其中第二外部电压检测器包括：

分压器，被配置为划分施加到电压生成电路的第二外部电压来生成分压；以及

比较器，被配置为，

比较分压和参考电压，以及

当分压低于参考电压时输出标志信号。