[发明专利]一种用于浸没式光刻机的流体限制机构在审
申请号: | 201410024987.0 | 申请日: | 2014-01-20 |
公开(公告)号: | CN104793466A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 赵丹平;聂宏飞;张洪博;张崇明 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 浸没 光刻 流体 限制 机构 | ||
1.一种用于浸没式光刻机的流体限制机构,所述流体限制机构,用于形成光刻机工件台的浸没式曝光工作环境,其特征在于,所述流体限制机构包括有浸液密封装置,用于在浸液上方阻挡外界环境对所述浸没式曝光工作环境的影响。
2.如权利要求1所述的流体限制机构,其特征在于,所述浸液密封装置包括有一个开口,所述开口用于向外吹气,在投影物镜与所述流体限制机构的缝隙内形成气流,并向远离所述浸液的方向流动,所述气流在所述缝隙处形成对所述浸液的密封气帘。
3.如权利要求1所述的流体限制机构,其特征在于,所述浸液密封装置包括有二个开口,分别为第一开口和第二开口,所述第一开口用于向外吹气,形成气流,使所述气流在所述流体限制机构和投影物镜间的缝隙中流动,形成对所述浸液的密封气帘,所述第二开口用于向内抽回所述气流。
4.如权利要求3所述的流体限制机构,其特征在于,所述第一开口比所述第二开口更靠近所述浸液的上表面。
5.如权利要求3所述的流体限制机构,其特征在于,所述第一开口设置在所述流体限制机构的斜坡上或者设置在所述流体限制机构上表面的平台上。
6.如权利要求4所述的流体限制机构,其特征在于,所述第二开口设置在所述流体限制机构的斜坡上或者设置在所述流体限制机构上表面的平台上。
7.如权利要求3所述的流体限制机构,其特征在于,所述浸液密封装置还包括有阻挡单元,所述阻挡单元设置于所述第二开口的外侧,用于固态阻挡密封。
8.如权利要求7所述的流体限制机构,其特征在于,所述阻挡单元为凸起结构。
9.如权利要求2或3所述的流体限制机构,其特征在于,所述向外吹的气体为超洁净湿空气。
10.如权利要求9所述的流体限制机构,其特征在于,所述超洁净湿空气的湿度为85%以上。
11.如权利要求9所述的流体限制机构,其特征在于,所述超洁净湿空气的洁净度为ISO1。
12.如权利要求2或3所述的流体限制机构,其特征在于,所述流体限制机构内中还设有进气结构,所述进气结构与供气设备连接,用于向出气开口提供气源。
13.如权利要求2或3所述的流体限制机构,其特征在于,所述开口形状为圆形、方形、矩形、长椭圆形、三角形或者为封闭形状的狭缝。
14.如权利要求13所述的流体限制机构,其特征在于,所述开口的数量为多个,所述多个开口等间隔排列围成圆形或者方形。
15.如权利要求8所述的流体限制机构,其特征在于,所述凸起结构在所述流体限制机构上表面的平台上围成方形或者圆形。
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