[发明专利]有极型低通滤波器、及包括其的多路分离器

说明书

技术领域

本发明涉及一种在通频带附近具有衰减极的低通滤波器、及包括该低通滤波器的多路分离器。

背景技术

以往，作为这种低通滤波器(以下有时称为LPF(Low Pass Filter：低通滤波器))，例如存在下述专利文献1所记载的情况。该LPF包括串联臂、以及例如三个并联臂。该串联臂上设置有例如两个并联谐振电路。第一并联臂设置在LPF的输入端子和前级并联谐振电路之间。另外，第二并联臂设置在两个并联谐振电路之间。第三并联臂设置在后级并联谐振电路和LPF的输出端子之间。各并联臂上各设置有一个电容器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2010-232765号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

一般而言，按照要求规格，确定LPF的通频带、衰减极的频率位置及尺寸等。然而，若想要使LPF小型化，有时无法安装足够数量的电感器元件或电容器元件，其结果是，存在无法在所期望的频率位置设置衰减极的问题。

因此，本发明的目的在于，提供一种能够在所期望的频率位置设置衰减极的低通滤波器、及包括该低通滤波器的多路分离器。

解决技术问题所采用的技术方案

为了到达上述目的，本发明的一个方面是一种有极型低通滤波器，包括：层叠有多个基材层的层叠体；形成于所述层叠体表面的输入端子、输出端子及接地端子；以及形成于所述层叠体内的至少一个接地导体，连接所述输入端子和所述输出端子的串联臂具有包含电容器及电感器的并联谐振电路，连接所述串联臂和所述接地端子的并联臂至少具有电容器，至少所述并联谐振电路中所包含的电容器包含形成于所述层叠体内的多个图案导体，所述至少一个接地导体、与所述多个图案导体中的至少一个图案导体在所述基材层的层叠方向上相对置。

另外，本发明的另一个方面是一种多路分离器，包括：层叠有多个基材层的层叠体；形成于所述层叠体表面的输入端子、输出端子及接地端子；形成于所述层叠体内的至少一个接地导体；设置于所述层叠体中，且包含电容器和电感器的高通滤波器；以及设置于所述层叠体中的有极型低通滤波器，所述有极型低通滤波器中，连接所述输入端子和所述输出端子的串联臂具有包含电容器及电感器的并联谐振电路，连接所述串联臂和所述接地端子的并联臂至少具有电容器，至少所述并联谐振电路中所包含的电容器包含形成于所述层叠体内的多个图案导体，所述至少一个接地导体、与所述多个图案导体中的至少一个图案导体在所述基材层的层叠方向上相对置。

发明效果

根据上述方面，可提供能够在所期望的频率位置设置衰减极的有极型低通滤波器、及包括该有极型低通滤波器的多路分离器。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式所涉及的多路分离器1的等效电路图。

图2A是表示图1的LPF5及HPF7的通频带特性等的图。

图2B是表示到图2A的200MHz为止的LPF及HPF的通频带特性等的曲线图。

图3A是多路分离器1的立体图。

图3B是图3A的多路分离器1的正视图。

图4A是图3B所示的基材层M1～M5的俯视图。

图4B是图3B所示的基材层M6～M10的俯视图。

图4C是图3B所示的基材层M11～M15的俯视图。

图4D是图3B所示的基材层M16～M20的俯视图。

图5是比较例所涉及的多路分离器1’的等效电路图。

图6是图5的多路分离器1’的基材层M16～M20的俯视图。

图7A是表示图5的LPF5’及HPF7’的通频带特性等的图。

图7B是表示到图7A的200MHz为止的LPF5’及HPF7’的通频带特性的曲线图。

图8是变形例所涉及的多路分离器1a的等效电路图。

图9A是表示图8的LPF5a及HPF7a的通频带特性等的图。

图9B是表示到图9A的200MHz为止的LPF5a及HPF7a的通频带特性等的图。

具体实施方式

（实施方式）

下面，首先，参照图1～图7B，对一个实施方式所涉及的有极型低通滤波器、及包括该有极型低通滤波器的多路分离器进行详细说明。

（有极型低通滤波器和多路分离器的等效电路）