[发明专利]图形化装置和形成抗刻蚀图形的方法有效

专利信息
申请号: 201410025114.1 申请日: 2014-01-20
公开(公告)号: CN104793468B 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 伍强;胡华勇;刘畅;居建华;李国锋 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/67
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 图形 化装 形成 刻蚀 方法
【权利要求书】:

1.一种图形化装置,其特征在于,包括:

多个喷射单元,所述喷射单元适于沿扫描方向喷射抗刻蚀液体至晶圆表面,所述多个喷射单元构成多个喷射组,每个喷射组内的多个喷射单元按行列方式排布,所述列垂直于扫描方向,所述行与扫描方向具有夹角;各个喷射组中,同行不同列的喷射单元之间沿垂直于喷射扫描方向的周期间距各不相同;

多个光照单元,所述光照单元适于照射晶圆表面的抗刻蚀液体,使得晶圆表面的抗刻蚀液体固化,形成抗刻蚀图形;

控制模块,所述控制模块适于控制所述多个喷射组中的多个喷射单元的运动和喷射状态、以及控制所述多个光照单元的运动和照射状态。

2.如权利要求1所述的图形化装置,其特征在于,所述喷射单元包括:抗刻蚀液体槽、喷头、压缩单元、第一电极和第二电极,其中,

所述抗刻蚀液体槽适于容纳抗刻蚀液体;

所述喷头与所述抗刻蚀液体槽连通;

所述压缩单元适于压缩所述抗刻蚀液体槽,使得抗刻蚀液体槽中的抗刻蚀液体通过所述喷头喷出;

所述第一电极和第二电极位于所述压缩单元两侧,通过在第一电极和第二电极上施加电压,控制所述压缩单元的压缩状态。

3.如权利要求2所述的图形化装置,其特征在于,所述第一电极与所述抗刻蚀液体槽相邻,且所述第一电极的厚度小于所述第二电极的厚度。

4.如权利要求2所述的图形化装置,其特征在于,所述压缩单元为压电材料或电热材料。

5.如权利要求2所述的图形化装置,其特征在于,所述第一电极和第二电极的材料为多晶硅。

6.如权利要求2所述的图形化装置,其特征在于,所述喷头为圆柱形管子,所述圆柱形管子的内径为所述抗刻蚀图形的线宽的80%~120%。

7.如权利要求1所述的图形化装置,其特征在于,所述光照单元采用红外光 照射。

8.如权利要求1所述的图形化装置,其特征在于,所述抗刻蚀液体包括底部抗反射材料或者光刻胶材料。

9.如权利要求1所述的图形化装置,其特征在于,所述抗刻蚀液体包括无光敏成分的光刻胶材料。

10.如权利要求2所述的图形化装置,其特征在于,还包括抗刻蚀液体池,所述抗刻蚀液体池与多个抗刻蚀液体槽连通。

11.如权利要求10所述的图形化装置,其特征在于,还包括绝缘层,所述绝缘层位于所述抗刻蚀液体池和所述多个喷射单元之间,用于隔离所述抗刻蚀液体池和所述多个喷射单元,且所述绝缘层上具有多个开口,用于连通所述抗刻蚀液体池和多个喷射单元中的抗刻蚀液体槽。

12.如权利要求1所述的图形化装置,其特征在于,所述多个喷射组构成喷射模块。

13.如权利要求1所述的图形化装置,其特征在于,所述多个光照单元位于所述喷射单元的列之间。

14.如权利要求1所述的图形化装置,其特征在于,不同喷射组中的对应喷射单元沿垂直于扫描方向的列距不同。

15.如权利要求12所述的图形化装置,其特征在于,所述多个喷射单元沿平行于扫描方向的行距为50μm~100μm,沿垂直于扫描方向的列距为0.3μm~10μm。

16.一种形成抗刻蚀图形的方法,其特征在于,包括:

多个喷射单元构成的多个喷射组中的一组沿扫描方向喷射抗刻蚀液体至晶圆表面,每个喷射组内的多个喷射单元按行列方式排布,所述列垂直于扫描方向,所述行与扫描方向具有夹角;各个喷射组中,同行不同列的喷射单元之间沿垂直于喷射扫描方向的周期间距各不相同;

多个光照单元沿扫描方向照射晶圆表面的抗刻蚀液体,使得晶圆表面的抗刻蚀液体固化,形成抗刻蚀图形;

其中,通过控制单元控制所述多个喷射单元构成的多个喷射组的运动和喷射状态,以使喷射抗刻蚀液体的该个喷射组同行不同列的喷射单元与扫描方向所成夹角匹配于:对基底加热造成的基底表面膨胀的放大率;以及控制所述多个光照单元的运动和照射状态。

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