[发明专利]具有介电表面波陷波器的导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种导体装置，

-其中，导体装置具有导体，该导体沿导体轴线延伸，

-其中，导体装置具有表面波陷波器(Mantelwellensperre)，导体与该表面波陷波器耦连以便衰减在导体装置外部由高频激励场激励的表面波。

背景技术

表面波陷波器是在所有磁共振设备中不可缺少的用于高频线圈和其他高频元件的可靠且无干扰的运行的元件。部分金属的机械伸展的结构一般用于实现表面波陷波器，该表面波陷波器在大多情况下需要与导体电接触，在该表面陷波器上表面波应当衰减。但金属的结构在磁共振设备中容易产生的问题是，在其中形成梯度感应的涡流。

从DE10211535A1(与之对应美国专利文献:US6822846B2)和DE102006009040A1(与之对应的美国专利文献:US7608778B2)中已知表面波陷波器，其中，不需要与导体的电接触。但这些表面波陷波器也由金属结构组成。

从微波技术中已知通常实现为陶瓷柱体的介电振荡装置(Resonatoreinrichtung)。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，改进一种开头所述类型的导体装置，使得表面波陷波器可以不必用金属结构实现。

该技术问题通过一种导体装置解决，其中，导体装置具有沿导体轴线延伸的导体，其中，导体装置具有表面波陷波器，导体与表面波陷波器耦连用于衰减由在导体装置外部由高频激励场激励的表面波，按本发明，表面波陷波器设计成介电振荡装置。

在本发明的优选的结构方案中，从围绕导体轴线的切向观察介电振荡装置设计成闭合的结构。在该结构方案中，在导体上感应的表面波与介电谐振装置的所谓的E010模式耦合。

在本发明备选的优选的结构方案，从围绕导体轴线的切向观察介电振荡装置覆盖了关于导体的最大180°的覆盖角。在该结构方案中，在导体上感应的表面波与介电振荡装置的所谓的H011模式耦合。当围绕介电振荡装置观察覆盖了关于介电振荡装置的至少180°，尤其是至少360°的覆盖角时，在H011模式上的耦合是非常好的。

通常表面波陷波器的调准是比较麻烦的。为了实现按本发明的导体装置的表面波陷波器的简单的调准，介电振荡装置具有优选至少两个相互耦合的介电振荡元件。在这种情况下，为了使介电振荡装置与高频激励场的频率协调，介电振荡元件彼此相对的布置(和进而耦合度)是可调节的。

介电振荡元件彼此相对的布置的方式和方法可以按需求确定。例如可行的是，调节介电振荡元件彼此相对的侧向移动。作为补充或备选可行的是，调节介电振荡元件彼此相对的转动位置。作为补充或备选，可行的是，可调节介电振荡器元件相互间的距离。

在本发明特别优选的结构方案中，所述介电振荡元件中的一个介电振荡元件能够借助具有螺纹轴线的螺纹通过围绕螺纹轴线的转动轴向地沿螺纹轴线定位。在这种情况下，所述介电振荡元件相互间的距离取决于这一个介电振荡元件沿螺纹轴线的轴向定位。由此可以以简单的方式实现介电振荡装置非常精确的调整。

导体装置的导体可以按需求构造。一般，导体设计成具有至少一个内部导体的同轴电缆的屏蔽层。

附图说明

结合参照附图进一步阐述的实施例的下列说明，如所实现那样，更清晰和明确地理解本发明的上述特性、特征和优点以及方式和方法。在此简略示出：

图1是具有导体装置的磁共振设备，

图2是导体装置的立体图，

图3是图2的导体装置的横截面，

图4是另一个导体装置的侧视图，

图5是图4的导体装置的截面图，

图6是介电振荡装置以及

图7是另一个介电振荡装置。

具体实施方式

按图1，磁共振设备的元件1(例如局部线圈)通过电缆2与另一个，在图1中未示出的装置连接。电缆2按图2至5具有导体3，该导体沿导体轴线4延伸。按图1，电缆2设计成同轴电缆。同轴电缆2具有内部导体5。导体3设计成同轴电缆2的屏蔽层。在内部导体5和导体3之间设有绝缘装置6。外部围绕屏蔽层3地设有电缆套7。该结构方案，其中电缆2设计成同轴电缆，是一般情况。但在个别情况下，导体3可能是“正常的”导体，该导体仅被电缆套7或仅被芯线绝缘装置包围。