[发明专利]对准标记、对准标记的检测方法和对准标记检测装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种对准标记、对准标记的检测方法和对准标记检测装置。

背景技术

集成电路是由许多形成在半导体衬底上的电路元件以及多层堆叠在衬底上方的介电层与金属互连线所构成。随着集成电路设计线宽的缩小以及集成度的不断提高，在对晶圆进行曝光步骤时，晶圆对准精确度（alignment accuracy）就显得相当重要。

现有的半导体的制作过程中，在晶圆上制作半导体器件之前，需对晶圆进行布局设计，将晶圆划分为若干单元区（Die）和位于单元区之间的切割槽（Scribe line）。所述单元区用于后续形成半导体器件，切割槽用于在半导体器件制作完成时，作为封装阶段单元区分割时的切割线。在设计用于划分晶圆表面的单元区和切割槽的光刻版图时，通常将光刻对准标记（alignment mark）和套刻测量标记（overlay mark）等光刻工艺中所需要用到的标记图形形成在切割道。

在利用对准标记进行晶圆对准的过程中，需要对对准标记进行检测，但是现有技术在检测对准标记的过程中存在着各种误差，导致现有技术的对准标记检测方法效率低。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术对准标记检测方法效率低。

为解决上述问题，本发明提供了一种对准标记检测方法，所述对准标记检测方法包括：提供晶圆，所述晶圆上具有第一标记图形和第二标记图形，其中，所述第一标记图形包括沿第一方向平行分布的多个条状图形，所述第二标记图形包括沿第二方向平行分布的多个条状图形，所述第二方向垂直于所述第一方向；检测所述第一标记图形和所述第二标记图形，分别获得与所述第一标记图形和所述第二标记图形对应的第一电学信号和第二电学信号；根据所述第一电学信号和所述第二电学信号获得所述第一标记图形和所述第二标记图形的位置信息。

可选的，所述根据第一电学信号和第二电学信号获得所述第一标记图形和所述第二标记图形的位置信息包括：获取所述第一电学信号和所述第二电学信号的长度信息；根据所述第一电学信号的长度信息获得所述第一标记图形在第一方向的中心位置信息，根据所述第二电学信号的长度信息获得所述第二标记图形在第二方向的中心位置信息。

可选的，还包括，根据所述第一标记图形在第一方向的中心位置信息，和所述第二标记图形在第二方向的中心位置信息获得所述晶圆的位置信息。

可选的，所述第一标记图形的多个条状图形和所述第二标记图形的多个条状图形分别与预先设定的条形码相对应。

可选的，还包括，根据所述第一电学信号和第二电学信号获取与所述第一标记图形和第二标记图形相对应的所述预先设定的条形码的信息。

可选的，所述第一标记图形和所述第二标记图形为UPC条形码或者39条形码。

可选的，所述第一标记图形和所述第二标记图形的长度相同。

可选的，所述第一标记图形和所述第二标记图形位于晶圆上的切割槽内。

对应的，本发明还提供了一种对准标记图形，所述对准标记图形包括：第一标记图形，所述第一标记图形包括沿第一方向平行分布的多个条状图形；第二标记图形，所述第二标记图形包括沿第二方向平行分布的多个条状图形，所述第二方向垂直于所述第一方向；其中，通过检测所述第一标记图形和所述第二标记图形能够获得与所述第一标记图形和所述第二标记图形对应的第一电学信号和第二电学信号，且根据所述第一电学信号和所述第二电学信号能够获得所述第一标记图形和所述第二标记图形的位置信息。

可选的，所述第一标记图形的多个条状图形和所述第二标记图形的多个条状图形分别与预先设定的条形码相对应。

可选的，根据所述第一电学信号和第二电学信号能够获取与所述第一标记图形和第二标记图形相对应的所述预先设定的条形码的信息。

可选的，所述第一标记图形和所述第二标记图形为UPC条形码或者39条形码。

可选的，所述第一标记图形和所述第二标记图形的长度相同。

可选的，所述第一标记图形和所述第二标记图形位于所述晶圆上的切割槽内。