[发明专利]孔壁半石墨化介孔硅纳米粒及其制备方法和用途在审

专利信息
申请号: 201410025448.9 申请日: 2014-01-20
公开(公告)号: CN104784697A 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 黄容琴;王义 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: A61K47/04 分类号: A61K47/04;A61K41/00;A61K31/704;A61P35/00
代理公司: 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 代理人: 吴桂琴
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 孔壁半 石墨 化介孔硅 纳米 及其 制备 方法 用途
【权利要求书】:

1.孔壁半石墨化的介孔硅纳米粒TsGMSN,其特征在于,通过下述方法制备:将合成介孔硅的模板剂(包括表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵CTAB和扩孔剂1,3,5-三甲苯(1,3,5-TMB))转化为半石墨化的碳,附着于介孔孔壁,并且半石墨化碳的含量、孔壁厚度和孔径均可调; 

所述的模板剂包括表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵CTAB和扩孔剂1,3,5-三甲苯(1,3,5-TMB)。 

2.按权利要求1所述的孔壁半石墨化的介孔硅纳米粒TsGMSN,其特征在于,所述方法中包括步骤: 

将一定量的CTAB水溶液加热至80℃,加入适量氢氧化钠NaOH溶液后剧烈搅拌,随后加入适量正硅酸乙酯TEOS搅拌2h,离心获得固体产物,水洗除去纳米粒表面吸附的表面活性剂,过滤,冻干;所得固体产物浸入98%浓硫酸溶液数小时,干燥,惰性气体条件下高温灼烧一定时间,即得孔壁半石墨化的介孔硅纳米粒TsGMSN。 

3.按权利要求1或2所述的孔壁半石墨化的介孔硅纳米粒TsGMSN,其特征在于,合成中所用的物料质量比为1CTAB:4.7TEOS:0.28NaOH:480H2O。 

4.按权利要求1或2所述的孔壁半石墨化的介孔硅纳米粒TsGMSN,其特征在于,合成过程中,通过向CTAB碱溶液中加入1,3,5-TMB调节TsGMSN介孔孔径和孔壁半石墨化碳含量,1,3,5-TMB和CTAB的质量比范围为0~1.2:1。 

5.按权利要求1或2所述的孔壁半石墨化的介孔硅纳米粒TsGMSN,其特征在于,合成方法中,冻干后固体产物:98%浓硫酸:H2O的质量比为:1:0.08~0.36:1~4。 

6.按权利要求1或2所述的孔壁半石墨化的介孔硅纳米粒TsGMSN,其特征在于,合成方法中,惰性气体为氮气、氩气或氦气。 

7.按权利要求1或2所述的孔壁半石墨化的介孔硅纳米粒TsGMSN,其特征在于,合成方法中,惰性气体条件下高温灼烧的条件为:450℃≤温度≤1000℃,0.5h≤时间≤10h。 

8.一种载DOX的孔壁半石墨化介孔硅纳米粒递药系统,其特征在于,将权利要求1所述的孔壁半石墨化的介孔硅纳米粒TsGMSN,通过负载抗肿瘤药物阿霉素DOX后制得载DOX的孔壁半石墨化介孔硅纳米粒(TsGMSND)递药系统,通过如下方法制备: 

一定量TsGMSN分散于适量pH值为9.0的磷酸盐缓冲液PBS中,加入等体积适当浓度的DOX水溶液,调节最终溶液pH值为9.0,避光搅拌一定时间,离心获得固体产物,使用pH值8.0的PBS溶液润洗去除表面吸附的DOX,即得TsGMSND。 

9.按权利要求8所述的载DOX的孔壁半石墨化介孔硅纳米粒递药系统,其特征在于,其中合成投料质量比为:1TsGMSN:1.8~3.6DOX。 

10.按权利要求8所述的载DOX的孔壁半石墨化介孔硅纳米粒递药系统,其特征在于,其中避光搅拌反应时间为24h~72h。 

11.权利要求1或2的孔壁半石墨化的介孔硅纳米粒TsGMSN在制备化疗-光热联合治疗脑胶质瘤药物中的应用。 

12.权利要求8所述的载DOX的孔壁半石墨化介孔硅纳米粒递药系统在制备化疗-光热联合治疗脑胶质瘤药物中的应用。 

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