[发明专利]短的和低的回路丝线键合

说明书

本分案申请是基于申请号201210028228.2为，申请日为2012年2月9日，发明名称为“短的和低的回路丝线键合”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明一般地涉及半导体封装，并且更特别地涉及在半导体封装中的处于基本上相同的高度或层级（level）上的触点之间的丝线键合。

背景技术

半导体封装的一方面涉及丝线键合工艺。常规的丝线键合工艺可以使用导电丝线来将半导体管芯（die）连接到引线框的引线。这允许半导体管芯与外部系统电通信。丝线键合工艺典型地产生在导电丝线中的回路。回路的高度确定着半导体封装的容许厚度。

半导体封装正不断地被设计成更加紧凑。这能够通过使用多管芯封装，减小封装的厚度，和/或最小化封装的尺寸来实现。回路高度影响这些选项中的每一个选项。

减小在处于不同层级的触点之间的回路高度的常规方法可以包括将键合丝线向下拉。但是，这会增加键合丝线中的应力，并且能够导致在球键（ball bond）附近的破裂或开裂。其它方法包括在键合丝线中形成折叠的回路或者在键合丝线的颈部上形成凹陷。但是，这些方法的质量难以评估，并且它们一般会降低丝线的强度。一种已经取得一定成功应用的方法包括在较高的触点上形成第一球键，然后使用球键将键合丝线附接于较低的触点，并且然后使用针脚式键合将键合丝线附接于较高的触点。

对于处于同一高度或层级的触点，通常通过将键合丝线向下拉来降低回路高度。但是，如上文所解释的，这会增加在键合丝线中的应力并且能够导致在球键附近的破裂或开裂。该应力能够通过使触点分得更开以及延长键合丝线来减小。但是，这会增加封装的横向尺寸和大小。已经用来在连接处于不同层级的触点时降低回路高度的其它方法未能提供与结合在处于同一高度或层级的触点来使用的方法相同的好处。

因此，需要在不增加丝线长度的情况下降低用来连接处于同一高度或层级的触点的键合丝线的回路高度。

发明内容

本发明的实施例在半导体封装中提供处于基本上相同高度的触点之间的短的和低的回路丝线键合。例如，根据一种实施例，多管芯封装包括管芯焊垫（pad）以及布置于管芯焊垫上的第一半导体管芯。第一半导体管芯可以包括在其上具有第一多个键合焊垫的上表面。多管芯封装还包括布置于管芯焊垫上的第二半导体管芯。第二半导体管芯可以包括在其上具有第二多个键合焊垫的上表面。第二半导体管芯的上表面可以是与第一半导体管芯的上表面一起基本上共同延伸的并且基本上沿平面延伸。多管芯封装还包括多根键合丝线，每根键合丝线将在第一半导体管芯的上表面上的第一多个键合焊垫中的一个键合焊垫耦接至在第二半导体管芯的上表面上的第二多个键合焊垫中的对应一个键合焊垫。该多根键合丝线中的键合丝线可以具有布置于平面上方的一高度处的扭折（kink），布置于第一半导体管芯与扭折之间的第一凸点（hump），以及布置于第二半导体管芯与扭折之间的第二凸点。第一凸点的第一高度和第二凸点的第二高度可以各自都大于在平面上方的扭折的高度。

根据另一种实施例，半导体封装包括布置于第一上表面上的第一键合焊垫以及布置于第二上表面上的第二键合焊垫。第一上表面可以与第二上表面横向间隔开并且是与第二上表面一起基本上共同延伸的。半导体封装还包括具有第一末端和第二末端的键合丝线。键合丝线的第一末端可以与第一键合焊垫耦接，并且键合丝线的第二末端可以与第二键合焊垫耦接。键合丝线包括从第二键合焊垫向上延伸到第一凸点的第一长度，以及与第一长度耦接于第一凸点的第二长度。第二长度从第一凸点向下延伸到扭折。扭折被布置于第一上表面和第二上表面的上方。键合丝线还包括与第二长度耦接于扭折处的第三长度。第三长度从扭折向上延伸到第二凸点。键合丝线还包括与第三长度耦接于第二凸点的第四长度。第四长度从第二凸点向下延伸到第一键合焊垫。