[发明专利]一种线偏振出光发光二极管无效
| 申请号： | 201410026724.3 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN103746057A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 王钦华;王淼;曹冰;楼益民 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 偏振 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种线偏振出光发光二极管，它的发光二极管芯片包括基底(1)、n型层(2)、量子阱(3)和p型层(4)，其特征在于：在p型层(4)的上表面设有介质过渡层(5)，所述介质过渡层（5）的上表面设有纳米双层金属光栅(6)，所述介质过渡层（5）的厚度在50～300nm。
2.根据权利要求1所述的一种线偏振出光发光二极管，其特征在于：所述纳米双层金属光栅（6）包括介质光栅和双层金属光栅。
3.根据权利要求2所述的一种线偏振出光发光二极管，其特征在于：所述介质光栅的周期为80～300nm，占空比为0.3～0.8，高度为50～200nm。
4.根据权利要求2所述的一种线偏振出光发光二极管，其特征在于：所述双层金属光栅为双层铝光栅。
5.根据权利要求4所述的一种线偏振出光发光二极管，其特征在于：所述双层铝光栅的高度为30～100nm，层间距10～50nm。
6.根据权利要求1所述的一种线偏振出光发光二极管，其特征在于：所述介质过渡层（5）的材料为SiO2、MgF或PMMA。
7.根据权利要求2所述的一种线偏振出光发光二极管，其特征在于：所述介质光栅的材料为SiO2、MgF或PMMA。
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