[发明专利]一种布拉格反射镜增强InGaN电极、制备与利用

权利要求书

1.一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm-5um，InGaN层、10nm-1um，从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有n电极；衬底另一面为DBR层；所述DBR层由高折射率材料和低折射率材料交替组合构成。

2.根据权利要求1所述的分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，其特征是GaN层厚度1-5μm、InGaN层厚度100-500nm；DBR层为8-16周期，高折射率与低折射率的材料两者厚度分别为40-70nm和60-90nm。

3.根据权利要求1所述的分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，其特征是分布式布拉格反射镜的高折射率层材料选自TiO、TiO₂、Ti₃O₅、Ti₂O₃、Ta₂O₅、SiN_X、ZrO₂任意之一或前述的组合。

4.根据权利要求1所述的分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，其特征是分布式布拉格反射镜的低折射率层材料选自SiO₂、Al₂O₃任意之一或前述的组合。

5.根据权利要求1所述的分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，其特征是所述衬底材料是蓝宝石，厚度为50-800um。

6.根据权利要求1所述的分布布拉格反射镜增强InGaN的电极，其特征是所述暴露出的GaN层上N电极为蒸镀Ti、Al、Ni、Au、Cr金属之一或任意组合，亦或ITO也可，以形成欧姆接触。

7.分布布拉格反射镜增强InGaN的电极的制备方法，在衬底即蓝宝石基板上背面生长GaN层；在GaN正面沉积InGaN薄膜层；将衬底蓝宝石基板剪薄、抛光；在抛光后的蓝宝石衬底背面倒置生长周期性分布式布拉格反射镜；通过刻蚀部分InGaN层所在的部分台面暴露出GaN层，在暴露的GaN层上形成N电极。

8.根据权利要求7所述的分布布拉格反射镜增强InGaN的电极的制备方法，其特征是所述GaN层由MOCVD设备进行生长，Ga和N源分别是三甲基镓和氨气，生长GaN层时使用氢气作为载气；或采用等离子体增强化学汽相沉积法，金属有机气相沉积技术和电子束蒸发台。