[发明专利]磁传感装置的制备方法

权利要求书

1.一种磁传感装置的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

步骤S101、含有外围电路的基底上设有第一金属层或MIM电容；

步骤S102、在第一金属层上沉积绝缘自停止层，而后沉积第一介质材料，形成通孔，沉积金属材料引出第一金属层，图形化，光刻，形成金属图形，作为第二金属层；

步骤S103、沉积第二介质材料，采用化学机械抛光平坦化停在第二金属层上，同时，保留1000～15000A厚度的第二介质材料；

步骤S104、在第二介质材料层形成通孔，并打开通孔，沉积金属，进行光刻，引出第二金属层；

步骤S105、在绝缘自停止层上方、第二金属层的一侧形成沟槽，刻蚀沟槽时自停止在绝缘自停止层上方；

步骤S106、在步骤S105形成的物件上沉积第三介质材料；

步骤S107、沉积磁材料，图形化；生成磁传感器的图形，形成感应单元的磁材料层，并通过沟槽的应用形成导磁单元；

步骤S108、沉积绝缘材料，形成绝缘材料层；

步骤S109、打开窗口，将磁材料层上的电极引出，并将其他电极引出。

2.根据权利要求1所述的磁传感装置的制备方法，其特征在于：

所述步骤S107中，所述导磁单元的主体部分设置于沟槽内，用以感应第三方向的磁信号，并将该磁信号输出到感应单元进行测量；

感应单元靠近沟槽设置，与导磁单元之间连接或断开，或者部分连接、部分断开，用以测量第一方向或/和第二方向的磁场，结合导磁单元输出的磁信号，能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向的第三方向磁场；第一方向、第二方向、第三方向分别为X轴、Y轴、Z轴。

3.根据权利要求1所述的磁传感装置的制备方法，其特征在于：

所述磁材料为AMR材料，或为GMR材料，或为TMR材料。

4.根据权利要求1所述的磁传感装置的制备方法，其特征在于：

步骤S101中，所述第一金属层为含Al或者Ti的材料；

步骤S106中，第三介质材料为多层或单层，第三介质材料包括SiOx或/和SiN或者/和SiOx/SiN材料。

5.根据权利要求1所述的磁传感装置的制备方法，其特征在于：

步骤S107中，磁材料上还设有一层或多层保护材料层。

6.根据权利要求1所述的磁传感装置的制备方法，其特征在于：

所述步骤S104中，在通孔内利用化学气相沉积法沉积金属钨，化学机械抛光平坦化，去除所述基底表面的金属钨，只保留孔内的金属钨。

7.根据权利要求6所述的磁传感装置的制备方法，其特征在于：

所述步骤S104中，还包括在金属钨上方沉积金属，光刻图形化后形成金属图形，沉积的金属材料能阻挡后续开通孔时候的过刻蚀；步骤S104中，在通孔内直接沉积第三金属层，并进行光刻。

8.一种磁传感装置的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

步骤S101、含有外围电路的基底上设有第一金属层或MIM电容；

步骤S102、在第一金属层上沉积第一介质材料，形成通孔，沉积金属材料，图形化，光刻，形成金属图形，作为第二金属层；

步骤S103、沉积第二介质材料，采用化学机械抛光平坦化停在第二金属层上，同时，保留1000～15000A厚度的第二介质材料；

步骤S104、在第二介质材料层形成通孔，并打开通孔，沉积金属，进行光刻，引出第二金属层；

步骤S105、在第一金属层上方、第二金属层的一侧形成沟槽，刻蚀沟槽时自停止在第一金属层上方；或者，刻蚀的沟槽位于第一金属层上方，与第一金属层并不接触；

步骤S107、沉积磁材料，图形化；生成磁传感器的图形，形成感应单元的磁材料层，并通过沟槽的应用形成导磁单元；

步骤S108、沉积绝缘材料，形成绝缘材料层；

步骤S109、打开窗口，将磁材料层上的电极引出，并将其他电极引出。