[发明专利]独立的一维共轴纳米结构

权利要求书

1.一种独立的一维共轴纳米结构，其特征在于：包括独立的导电纳米线（1）和电化学活性物质层（2），所述导电纳米线（1）的外侧裹覆有所述电化学活性物质层（2）。

2.如权利要求1所述的一种独立的一维共轴纳米结构，其特征在于：所述导电纳米线（1）的直径为10-100nm，所述电化学活性物质层（2）的厚度为（0 nm，995 nm]。

3.如权利要求1所述的一种独立的一维共轴纳米结构，其特征在于：所述电化学活性物质层（2）外侧设置有一层膜（3），所述电化学活性物质层（2）和膜（3）之间具有间隙。

4.如权利要求3所述的一种独立的一维共轴纳米结构，其特征在于：所述膜（3）为碳膜、Al₂O₃膜、TiO₂膜、CdS膜或Fe₂O₃膜。

5.如权利要求1所述的一种独立的一维共轴纳米结构，其特征在于：所述导电纳米线（1）为铜纳米线、铝纳米线、镍纳米线、钴纳米线、碳纳米线、碳纳米管、硅化镍纳米线、硅化钴纳米线、硅化铜纳米线、硅化银纳米线、硅化铁纳米线、硅化锌纳米线、碳化钛纳米线、氧化锡纳米线、氧化锌纳米线或氧化铟纳米线。

6.如权利要求1所述的一种独立的一维共轴纳米结构，其特征在于：所述电化学活性物质层（2）为活性阴极物质或活性阳极物质，所述活性阴极物质为晶体硅、非晶硅、锡、锗、碳、氧化硅、氧化锡、氧化锗、碳涂附的硅、硅涂附的碳、碳掺杂的硅、硅掺杂的碳、碳涂附的锗、锗涂附的碳、碳掺杂的锗、锗掺杂的碳、碳涂附的锡、锡涂附的碳、碳掺杂的锡或锡掺杂的碳中的一种或多种，所述阳极活性物质为LiCoO₂、LiFePO₄、LiMnO₂、LiNiO₂、LiMn₂O₄、LiCoPO₄、LiNi_1/3Co_1/3Mn_1/3O₂、LiNi_XCo_YAl_ZO2、LiFe₂(SO4)₃、氟化碳或FeF₃中的一种或多种。

7.如权利要求5所述的一种独立的一维共轴纳米结构，其特征在于：当所述导电纳米线为硅化镍纳米线时，所述导电纳米线通过化学气相沉积法制备得到；当所述导电纳米线为铜纳米线或碳纳米线时，所述导电纳米通过静电纺丝法制备得到；当所述导电纳米线为氧化锡纳米线时，所述导电纳米线通过激光溅射物理气相法制备得到；当所述导电纳米线为氧化锡纳米线时，所述导电纳米线通过激光溅射物理气相法制备得到。

8.如权利要求6所述的一种独立的一维共轴纳米结构，其特征在于：所述电化学活性物质层（2）为非晶硅或多晶硅时，通过热化学气相法将非晶硅裹覆在导电纳米线（1）上。

9.如权利要求3或4所述的一种独立的一维共轴纳米结构，其特征在于：通过以下步骤制备得到：

1）、在所述电化学活性物质层（2）外侧设置一层可以被溶解的牺牲层；

2）、在所述牺牲层的外侧设置一层膜（3），得到中间产物A；

3）、将所述中间产物A放入能够溶解所述牺牲层的溶解溶液中，所述牺牲层被溶解后得到所述一种独立的一维共轴纳米结构。

10.如权利要求9所述的一种独立的一维共轴纳米结构，其特征在于：当所述牺牲层为二氧化硅时，所述溶解溶液为HF溶液；当所述牺牲层为Al₂O₃时，所述溶解溶液为NaOH溶液。