[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的导电区域，具有相邻于多层配线层的表面；

第二导电类型的电荷累积区域，形成在该第一导电类型的导电区域内，其中该电荷累积区域由分隔部分与该导电区域的相邻于该多层配线层的表面分隔；以及

接触体，设置在该导电区域中，该接触体将该电荷累积区域和该多层配线层的外部配线电连接，

其中该多层配线层设置在该导电区域的光接收表面的相反侧。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括绝缘部分，该绝缘部分接触该接触体且设置在至少在该电荷累积区域的一部分和该分隔部分之间的区域中。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中该绝缘部分的外周小于该电荷累积区域的外周。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括耗尽层，其中该绝缘部分设置在该电荷累积区域的一部分和该分隔部分之间形成该耗尽层的区域中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一光电转换部分，设置在该导电区域的第二表面之上，该导电区域的该第二表面在相邻于该多层配线层的表面的相反侧。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

导电塞，穿过该导电区域，其中该第一光电转换部分电连接到该导电塞，并且该导电塞电连接到该外部配线，从而使该第一光电转换部分电连接到该电荷累积区域。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中该第一光电转换部分包括设置在上电极和下电极之间的光电转换膜。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括穿过该导电区域且电连接到该上电极的第二导电塞，其中该导电塞电连接到该下电极。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括设置在该导电区域内的第二光电转换部分。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括设置在该导电区域内的第三光电转换部分。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中该第一光电转换部分是有机光电转换部分，该第二光电转换部分是无机光电转换部分，并且该第三光电转换部分是无机光电转换部分。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中该光电转换部分、该第二光电转换部分和该第三光电转换部分在与光进入该半导体器件的方向对应的垂直方向上层叠。

13.一种固态摄像装置，包括具有多个单元像素的像素部分，该多个单元像素二维地设置成矩阵形式，其中单元像素包括：

第一导电类型的导电区域，具有相邻于多层配线层的表面；

第二导电类型的电荷累积区域，形成在该第一导电类型的导电区域内，其中该电荷累积区域由分隔部分与该导电区域的相邻于该多层配线层的表面分隔；以及

接触体，设置在该导电区域中，该接触体将该电荷累积区域和该多层配线层的外部配线电连接，

其中该多层配线层设置在该导电区域的光接收表面的相反侧。

14.根据权利要求13所述的固态摄像装置，还包括绝缘部分，该绝缘部分接触该接触体且设置在至少在该电荷累积区域的一部分和该分隔部分之间的区域中。

15.根据权利要求14所述的固态摄像装置，还包括：

光电转换部分，设置在该导电区域的第二表面之上，该导电区域的该第二表面在相邻于该多层配线层的表面的相反侧；以及

导电塞，穿过该导电区域，其中该光电转换部分电连接到该导电塞，并且该导电塞电连接到该外部配线，从而该光电转换部分电连接到该电荷累积区域。

16.根据权利要求15所述的固态摄像装置，还包括设置在该导电区域内的第二光电转换部分。