[发明专利]基底剥离装置、剥离基底的方法及制造显示装置的方法有效

申请号：	201410027800.2	申请日：	2014-01-21
公开（公告）号：	CN104051313B	公开（公告）日：	2018-05-01
发明（设计）人：	林亨哲;金英求;赵显俊	申请（专利权）人：	三星显示有限公司
主分类号：	H01L21/683	分类号：	H01L21/683;H01L21/67
代理公司：	北京铭硕知识产权代理有限公司11286	代理人：	王占杰,冯敏
地址：	韩国京畿***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	基底剥离装置方法制造显示装置
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【说明书】：

本申请要求于2013年3月11日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0025733号韩国专利申请以及于2013年11月28日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0146379号韩国专利申请的优先权，上述专利申请的全部内容通过引用被包含于此。

技术领域

本发明涉及一种基底剥离装置、一种用于剥离基底的方法以及一种用于制造柔性显示装置的方法，更具体地讲，涉及一种利用激光的基底剥离装置、一种用于剥离基底的方法以及一种用于制造柔性显示装置的方法。

背景技术

当制造柔性显示装置时，在制造柔性显示装置的结构的同时使用载体基底来支撑柔性显示装置的结构。载体基底的柔性相对较低。在完成柔性显示装置的结构之后，利用基底剥离装置将载体基底与柔性显示装置的结构分离。基底剥离装置被用于利用激光将柔性装置的结构与载体基底分离。

发明内容

根据本发明的示例性实施例，提供一种用于剥离基底的方法。将具有功率密度的激光照射在基底结合体上。基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底。将第二基底与第一基底分离。测量与第二基底分离的第一基底的光学性质。基于第一基底的光学性质调节激光的功率密度。

根据本发明的示例性实施例，提供一种用于制造显示装置的方法。将具有功率密度的激光照射在基底结合体上。基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底。测量基底结合体的反射率。将第一基底与第二基底彼此分离。基于反射率调节激光的功率密度。

根据本发明的示例性实施例，一种基底剥离装置包括激光照射单元和光学性质检测单元。激光照射单元被构造为产生具有功率密度的激光并且将所述激光照射在基底结合体上。基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底。光学性质检测单元被构造为测量利用激光与第二基底分离的第一基底的光学性质。基于第一基底的光学性质来调节激光的功率密度。

根据本发明的示例性实施例，一种基底剥离装置包括激光照射单元和光学性质检测单元。激光照射单元被构造为将具有功率密度的激光照射在基底结合体上。基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底。光学性质检测单元被构造为测量基底结合体的光反射率。基于基底结合体的光反射率来调节激光的功率密度。

附图说明

通过参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的这些和其它特征将变得更明显，在附图中：

图1是示出根据本发明的示例性实施例的用于剥离基底的方法的流程图；

图2是示出根据本发明的示例性实施例的基底剥离装置的框图；

图3是根据本发明的示例性实施例的基底剥离装置的侧视图；

图4是示出根据本发明的示例性实施例的向其提供激光的基底结合体的剖视图；

图5是示出根据本发明的示例性实施例的彼此分离的第一基底和第二基底的剖视图；

图6是示出根据本发明的示例性实施例的用于测量第一基底的光学性质的布置的视图；

图7是示出根据本发明的示例性实施例的激光的强度和透光率之间的关系的曲线图；

图8是示出根据本发明的示例性实施例的用于测量第一基底的光学性质的布置的视图；

图9是示出根据本发明的示例性实施例的用于测量第一基底的光学性质的布置的视图；