[发明专利]基于雪崩二极管高次倍频得到太赫兹波的腔体有效
| 申请号： | 201410028807.6 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103825570B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 赵家奇;朱忠博;王春;徐魁文;张斌;冉立新 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H03H7/01 | 分类号： | H03H7/01 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 雪崩 二极管 倍频 得到 赫兹 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于雪崩二极管高次倍频得到太赫兹波的腔体，其特征在于：包括低通滤波电路（3）、馈电同轴（4）、倍频腔体（5）、短路调谐滑块（6）、雪崩二极管（7）、特氟龙介质（8）和馈电同轴内导体（9）；倍频腔体（5）为矩形腔体，馈电同轴（4）内贯穿馈电同轴内导体（9），馈电同轴（4）的下端穿过倍频腔体（5）通过特氟龙介质（8）后，馈电同轴内导体（9）底面和低通滤波电路（3）连接，馈电同轴（4）内的馈电同轴内导体（9）上端顶在雪崩二极管（7）的顶部，短路调谐滑块（6）从倍频腔体（5）的长度方向插入，调节倍频腔体（5）的横轴长度来匹配对应雪崩二极管的高次谐波，即所需频率的太赫兹波。
2.根据权利要求1所述的一种基于雪崩二极管高次倍频得到太赫兹波的腔体，其特征在于：所述馈电同轴（4）下端和低通滤波电路（2）接触处填充特氟龙介质（8），该介质固定馈电同轴内导体（9）和匹配雪崩二极管7阻抗，馈电同轴（4）上端对接雪崩二极管（6），采用顶部馈电方式给雪崩二极管（6）加载电信号。
3.根据权利要求1所述的一种基于雪崩二极管高次倍频得到太赫兹波的腔体，其特征在于：所述低通滤波电路（3）为多级电感和多级电容的并联电路。
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