[发明专利]一种桥接式石墨烯基磁传感器有效

专利信息
申请号: 201410029280.9 申请日: 2014-01-22
公开(公告)号: CN103792501A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 潘孟春;田武刚;胡佳飞;赵建强;胡靖华 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 赵洪;周长清
地址: 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 桥接式 石墨 烯基磁 传感器
【权利要求书】:

1.一种桥接式石墨烯基磁传感器,其特征在于,包括第一桥墩组件、第二桥墩组件及架设于第一桥墩组件和第二桥墩组件上的桥梁石墨烯层(3),所述第一桥墩组件由第一桥墩石墨烯层(41)、自由铁磁层(5)和公共电极(6)由上至下依次排列而成,所述第二桥墩组件由第二桥墩石墨烯层(42)、固定铁磁层(8)和偏置电极(7)由上至下依次排列而成;所述桥梁石墨烯层(3)的上方设有绝缘层(2),所述绝缘层(2)的上方设置操控电极(1)。

2.根据权利要求1所述的桥接式石墨烯基磁传感器,其特征在于,所述自由铁磁层(5)的磁矩方向随外磁场的改变而改变,所述固定铁磁层(8)的磁矩方向固定在特定方向。

3.根据权利要求1或2所述的桥接式石墨烯基磁传感器,其特征在于,所述自由铁磁层(5)为铁、钴、或镍。

4.根据权利要求1或2所述的桥接式石墨烯基磁传感器,其特征在于,所述固定铁磁层(8)包括铁磁层(102)和钉扎层(101),所述钉扎层(101)为硬磁性材料制备。

5.根据权利要求1或2所述的桥接式石墨烯基磁传感器,其特征在于,所述桥梁石墨烯层(3)为单层石墨烯。

6.根据权利要求1或2所述的桥接式石墨烯基磁传感器,其特征在于,所述第一桥墩石墨烯层(41)和第二桥墩石墨烯层(42)为一至三层石墨烯。

7.根据权利要求1或2所述的桥接式石墨烯基磁传感器,其特征在于,所述公共电极(6)、偏置电极(7)和操控电极(1)通过引线连接到封装管壳引线框的封装引脚上或ASIC专用集成电路。

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